All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Examination of contrast in doped semiconductors with scanning low energy microscope with ultimate parameters

Public support

  • Provider

    Czech Science Foundation

  • Programme

    Post-graduate (doctorate) grants

  • Call for proposals

    Postdoktorandské granty 9 (SGA02009GA1PD)

  • Main participants

  • Contest type

    VS - Public tender

  • Contract ID

    102/09/P543

Alternative language

  • Project name in Czech

    Výzkum kontrastu v dopovaných polovodičích v nízkoenergiovém rastrovacím elektronovém mikroskopu s mezními parametry

  • Annotation in Czech

    Náplní projektu je studium faktorů ovlivňujících vznik kontrastu obrazu dopované oblasti s použitím nízkoenergiového rastrovacího elektronového mikroskopu. Injekce nosičů do rozhraní p-n přechodu v dopovaných vzorcích bude zkoumána jak planárně, tak v řezu vícevrstvou strukturou. K tomu účelu poslouží REM již dříve adaptovaný pro práci s nízkou energií. Kromě zkoumání úhlové emise SE a BSE pomocí speciálního detektoru mikroskop umožní reprodukovatelné nastavení energiedopadu s přesností až setin eV. Řízené nastavení dopadajících elektronů do hloubky srovnatelné s rozměry ochuzené vrstvy umožní vysvětlit změny kontrastu vznikajícího na p-n přechodu polovodičů s různým typem vodivosti. Experimenty budou probíhat na zařízeních různých technických parametrů vybavených SLEEM modem. Na základě získaných poznatků pak bude možné určit údaje o elektronové struktuře materiálů včetně stanovení koncentrace příměsí v daném polovodiči.

Scientific branches

  • R&D category

    ZV - Basic research

  • CEP classification - main branch

    JA - Electronics and optoelectronics

  • CEP - secondary branch

    BM - Solid-state physics and magnetism

  • CEP - another secondary branch

    BH - Optics, masers and lasers

  • OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)<br>20201 - Electrical and electronic engineering

Completed project evaluation

  • Provider evaluation

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Project results evaluation

    New samples of planar doped structures have been designed and manufactured within the scope of this project. Properties of samples with variable level of doping and with opposite conductivity have been investigated in a single field of view. A collaboration with ON Semiconductor Company has been established, which is one of the top semiconductor-component manufacturer. The company allowed tests

Solution timeline

  • Realization period - beginning

    Jan 1, 2009

  • Realization period - end

    Dec 31, 2010

  • Project status

    U - Finished project

  • Latest support payment

    Apr 16, 2010

Data delivery to CEP

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Data delivery code

    CEP11-GA0-GP-U/04:3

  • Data delivery date

    Mar 20, 2015

Finance

  • Total approved costs

    567 thou. CZK

  • Public financial support

    567 thou. CZK

  • Other public sources

    0 thou. CZK

  • Non public and foreign sources

    0 thou. CZK