Examination of contrast in doped semiconductors with scanning low energy microscope with ultimate parameters
Public support
Provider
Czech Science Foundation
Programme
Post-graduate (doctorate) grants
Call for proposals
Postdoktorandské granty 9 (SGA02009GA1PD)
Main participants
—
Contest type
VS - Public tender
Contract ID
102/09/P543
Alternative language
Project name in Czech
Výzkum kontrastu v dopovaných polovodičích v nízkoenergiovém rastrovacím elektronovém mikroskopu s mezními parametry
Annotation in Czech
Náplní projektu je studium faktorů ovlivňujících vznik kontrastu obrazu dopované oblasti s použitím nízkoenergiového rastrovacího elektronového mikroskopu. Injekce nosičů do rozhraní p-n přechodu v dopovaných vzorcích bude zkoumána jak planárně, tak v řezu vícevrstvou strukturou. K tomu účelu poslouží REM již dříve adaptovaný pro práci s nízkou energií. Kromě zkoumání úhlové emise SE a BSE pomocí speciálního detektoru mikroskop umožní reprodukovatelné nastavení energiedopadu s přesností až setin eV. Řízené nastavení dopadajících elektronů do hloubky srovnatelné s rozměry ochuzené vrstvy umožní vysvětlit změny kontrastu vznikajícího na p-n přechodu polovodičů s různým typem vodivosti. Experimenty budou probíhat na zařízeních různých technických parametrů vybavených SLEEM modem. Na základě získaných poznatků pak bude možné určit údaje o elektronové struktuře materiálů včetně stanovení koncentrace příměsí v daném polovodiči.
Scientific branches
R&D category
ZV - Basic research
CEP classification - main branch
JA - Electronics and optoelectronics
CEP - secondary branch
BM - Solid-state physics and magnetism
CEP - another secondary branch
BH - Optics, masers and lasers
OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)<br>10306 - Optics (including laser optics and quantum optics)<br>20201 - Electrical and electronic engineering
Completed project evaluation
Provider evaluation
U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)
Project results evaluation
New samples of planar doped structures have been designed and manufactured within the scope of this project. Properties of samples with variable level of doping and with opposite conductivity have been investigated in a single field of view. A collaboration with ON Semiconductor Company has been established, which is one of the top semiconductor-component manufacturer. The company allowed tests
Solution timeline
Realization period - beginning
Jan 1, 2009
Realization period - end
Dec 31, 2010
Project status
U - Finished project
Latest support payment
Apr 16, 2010
Data delivery to CEP
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data delivery code
CEP11-GA0-GP-U/04:3
Data delivery date
Mar 20, 2015
Finance
Total approved costs
567 thou. CZK
Public financial support
567 thou. CZK
Other public sources
0 thou. CZK
Non public and foreign sources
0 thou. CZK