All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Direct imaging of the dopant distribution in a semiconductor by means of low energy clectrons

Public support

  • Provider

    Czech Science Foundation

  • Programme

    Standard projects

  • Call for proposals

    Standardní projekty 8 (SGA02005GA-ST)

  • Main participants

  • Contest type

    VS - Public tender

  • Contract ID

    102/05/2327

Alternative language

  • Project name in Czech

    Přímé zobrazení rozložení dopantů v polovodiči pomocí pomalých elektronů

  • Annotation in Czech

    Cílem projektu je vypracovat model mechanismu tvorby kontrastu obrazu v sekundárních elektronech (SE) v rastrovacím elektronovém mikroskopu (REM) při zobrazování dopované oblasti na povrchu polovodiče nebo na příčném řezu mnohavrstvou strukturou. Stávající model, založený na lokálních rozdílech ionizační energie, nedokáže vysvětlit pozorované jevy, zejména závislost kontrastu na vakuových podmínkách v mikroskopu. Je třeba prostudovat vliv přítomnosti velmi tenkých povrchových vrstev, mj. vrstvy uhlovodíků rozkládajících se pod dopadem elektronového svazku. Experimenty budou probíhat na dopovaných substrátech vystavených různým vakuovým podmínkám a pozorovaných pomocí klasického REM i REM s katodovou Čočkou pro mikroskopii pomalými elektrony. Povrchy budou studovány pomocí Augerových elektronů, a to jak v původním stavu, tak i po odstranění povrchových vrstev. Bude také studován vliv sběrové účinnosti detektoru SE a tedy vliv elektrických a magnetických polí v oblasti vzorku na konečný

Scientific branches

  • R&D category

    ZV - Basic research

  • CEP classification - main branch

    JA - Electronics and optoelectronics

  • CEP - secondary branch

    JJ - Other materials

  • CEP - another secondary branch

  • OECD FORD - equivalent branches <br>(according to the <a href="http://www.vyzkum.cz/storage/att/E6EF7938F0E854BAE520AC119FB22E8D/Prevodnik_oboru_Frascati.pdf">converter</a>)

    20201 - Electrical and electronic engineering<br>20502 - Paper and wood<br>20503 - Textiles; including synthetic dyes, colours, fibres (nanoscale materials to be 2.10; biomaterials to be 2.9)<br>21001 - Nano-materials (production and properties)<br>21002 - Nano-processes (applications on nano-scale); (biomaterials to be 2.9)

Completed project evaluation

  • Provider evaluation

    U - Uspěl podle zadání (s publikovanými či patentovanými výsledky atd.)

  • Project results evaluation

    The project aimed at investigation of mechanism of the contrast generation in secondary electron images in the scanning electron microscope when examining doped areas of semiconductors, and at compiling a model of the mechanism or at correcting the exist

Solution timeline

  • Realization period - beginning

    Jan 1, 2005

  • Realization period - end

    Dec 31, 2007

  • Project status

    U - Finished project

  • Latest support payment

    May 2, 2007

Data delivery to CEP

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

  • Data delivery code

    CEP08-GA0-GA-U/04:3

  • Data delivery date

    Dec 16, 2008

Finance

  • Total approved costs

    2,675 thou. CZK

  • Public financial support

    1,675 thou. CZK

  • Other public sources

    0 thou. CZK

  • Non public and foreign sources

    1,500 thou. CZK