Complete Characterization of Rough Polymorphous Silicon Films by Atomic Force Microscopy and the Combined Method of Spectroscopic Ellipsometry and Spectroscopic Reflectometry

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F04%3A00010139" target="_blank" >RIV/00216224:14310/04:00010139 - isvavai.cz</a>

Alternative codes found

RIV/00177016:_____/04:#0000334

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Complete Characterization of Rough Polymorphous Silicon Films by Atomic Force Microscopy and the Combined Method of Spectroscopic Ellipsometry and Spectroscopic Reflectometry

Original language description

In this paper the results of the complete characterization of hydrogenated polymorphous silicon (pm-Si:H) films deposited onto silicon single crystal substrates performed by atomic force microscopy (AFM) and the combined method of spectroscopic ellipsometry and spectroscopic reflectometry are presented. This combined method is applied in the multi-sample modification. The experimental data are measured within the near-UV, visible and near-IR regions (190-1000 nm). For treating the experimental data thedispersion model recently formulated for amorphous chalcogenide films is employed. This model is based on the parameterization of the density of electronic states. Moreover, for the treatment of the experimental data the structural model containing the defects, i.e. roughness of the upper boundaries of the films, overlayers, transition layers and refractive index profile inhomogeneity, is employed. The results of the characterization consist of the determination of the spectral dependenc

Czech name

Úplná charakterizace drsných polymorfních křemíkových vrstev pomocí mikroskopie atomové síly a kombinované metody spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie

Czech description

V článku jsou uvedeny výsledky týkající se úplné charakterizace hydrogenovaných polymorfních křemíkových (pm-Si:H) vrstev deponovaných na podložky z monokrystalického křemíku získané pomocí mikroskopie atomové síly (AFM) a kombinované metody spektroskopické elipsometrie a spektroskopické reflektometrie. Tato kombinovaná metoda je aplikována ve formě vícevzorkové modifikace. Experimentální data jsou měřena v rámci blízké ultrafialové, viditelné a blízké infračervené oblasti (190-1000 nm). Pro zpracováníexperimentálních dat je využit dispersní model nedávno formulovaný pro amorfní chalkogenidové vrstvy. Tento model je založen na parametrizaci hustoty stavů elektronů. Navíc je využit pro zpracování experimentálních dat strukturní model obsahující defekty, tj. drsnost horních rozhraní vrstev, povrchové vrstvy, přechodové mezivrstvy a profil indexu lomu. Výsledky charakterizace se sestávají z určení spektrálních závislostí optických konstant p-m:Si vrstev a hodnot parametrů popisujících de

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2004

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Volume of the periodical

455-456

Issue of the periodical within the volume

1

Country of publishing house

GB - UNITED KINGDOM

Number of pages

5

Pages from-to

399-403

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—