Atomic force microscopy analysis of morphology of the upper boundaries of GaN thin films prepared by MOCVD

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F05%3A00015079" target="_blank" >RIV/00216224:14310/05:00015079 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Atomic force microscopy analysis of morphology of the upper boundaries of GaN thin films prepared by MOCVD

Original language description

In this paper the results of the atomic force microscopy analysis of the upper boundaries of the GaN nucleation and buffer films prepared by MOCVD are presented. It is shown that the upper boundaries of nucleation films exhibit morphology identical withstatistical roughness. The values of the basic statistical roughness quantities, i.e. the RMS values of the heights and the autocorrelation length values, of these boundaries are determined in dependences on time and temperature of their annealing. TheseRMS values decrease with increasing values of both technological parameters. It is also found that the corresponding power spectral density functions of the upper boundaries of these films satisfy the Gaussian function very well. Furthermore, it is shown that the GaN buffer films created onto the selected nucleation film have the upper boundaries whose morphology is different from the typical statistical surface roughness. Both RMS values and autocorrelation length values decrease with

Czech name

Analýza morfologie horních rozhraní vrstev GaN připravených pomocí MOCVD s využitím mikroskopie atomové síly

Czech description

V tomto článku jsou uvedeny výsledky týkající se analýzy horních rozhraní nukleačních a "buffer" vrstev GaN připravených pomocí MOCVD. Je ukázáno, že horní rozhraní nukleačních vrstev vykazují morfologii identickou se statistickou drsností. Hodnoty základních statistických veličin drsnosti, tj. standardní odchylky výšek a autokorelační vzdálenosti těchto rozhraní, jsou určeny v závislosti na čase a teplotě jejich zahřívání. Tyto standardní odchylky klesají s rostoucími hodnotami obou technologických parametrů. Je také nalezeno, že odpovídající spektrální hustoty prostorových frekvencí horních rozhraní těchto vrstev vyhovují velmi dobře Gaussově funkci. Dále je ukázáno, že GaN "buffer" vrstvy vytvořené na vybrané nukleační vrstvě mají morfologii horníchrozhraní, která je rozdílná od typické statistické povrchové drsnosti. Standardní odchylky a autokorelační délky klesají s rostoucí tloušťkou "buffer" vrstvy a spektrální hustota prostorových frekvencí těchto vrstev je dosti odlišná od G

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2005

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Vacuum

ISSN

0042-207X

e-ISSN

—

Volume of the periodical

80

Issue of the periodical within the volume

1-3

Country of publishing house

GB - UNITED KINGDOM

Number of pages

5

Pages from-to

53-57

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—