In-situ investigations of Si and Ge interdiffusion in Si cascade structures

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F06%3A00016352" target="_blank" >RIV/00216224:14310/06:00016352 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
In-situ investigations of Si and Ge interdiffusion in Si cascade structures
Original language description
We focus on investigation of temperature stability of simple strain symmetrized SiGe/Si multilayers designed similarly as the complicated quantum cascade structures with Ge content 30% and 80%. X-ray reflectivity and diffraction reciprocal space maps forall structures have been recorded at room temperature and during several isothermal annealing processes for temperatures ranging from 550 C up to 824 C.
Czech name
In-situ studie Si a Ge interdifuse v Si kaskádových strukturách
Czech description
Zaměřujeme se na studium teplotní stabitlity jednoduchých deformačně symetrizovaných SiGe/Si multivrstev navrhnutých podobně tak jako komplikované kvantově kaskádové struktury s obsahem Ge 30% a 80%. Reciproké mapy rtg reflexe a difrakce všech struktur byly zaznamenány při pokojové teplotě a během isotermického žíhání pro teploty v rozsahu od 550 C do 824 C.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—

Project
<a href="/en/project/GP202%2F05%2FP286" target="_blank" >GP202/05/P286: Investigation of morphology of semiconductor multilayers using x-ray scattering</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)