Crystallite misorientation analysis in semiconductor wafers and ELO samples by rocking curve imaging

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14310%2F06%3A00017520" target="_blank" >RIV/00216224:14310/06:00017520 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Crystallite misorientation analysis in semiconductor wafers and ELO samples by rocking curve imaging

Original language description

Rocking curve imaging is based on measuring a series of Bragg-reflection digital topographs by monochromatic parallel-beam synchrotron radiation in order to quantify local crystal lattice rotations within a large surface area with high angular and high spatial resolution. In this paper we apply the method to map local lattice tilts in two distinct semiconductor sample types with lattice misorientations up to 0.5 deg and with spatial resolution from 30 um down to 1 um. We analyse the measured surface-tilt data volumes for samples with almost smoothly varying specific misoriented defect formation in GaAs wafers and for an inherent subsurface grain structure of epitaxial lateral overgrowth wings in GaN. Back-projected tilt maps and histograms provide bothlocal and global characteristics of the microcrystallinity.

Czech name

Charakterizace rozorientace krystalitů v polovodičových deskách a ELO vzorcích metodou zobrazení rocking křivek

Czech description

Zobrazení rocking křivek (rocking curve imaging) je založeno na měření série digitálních topogramů v Braggovově uspořádání na odraz s paralelním synchrotronovým svazkem. Metoda umožňuj určit lokální rozorientování krystalové mříže na velké ploše vzorku svelkým úhlovým a laterálním rozlišením. V tomto článk aplikujeme metodu na studium lokálního náklonu mřížky ve dvou různých polovodičových vzorcích s rozorientacemi až do 0.5 deg a s laterálním rozlišením od 30 um do 1 um. Studovali jsme mikrokrystaly ve vzorcích, kterými byly GaAs desky a ELO vzorky GaN.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2006

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Applied Surface Science

ISSN

0169-4332

e-ISSN

—

Volume of the periodical

253

Issue of the periodical within the volume

1

Country of publishing house

DE - GERMANY

Number of pages

6

Pages from-to

188-193

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—