Metrology of epitaxial layers *GaN

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216224%3A14740%2F14%3A00079942" target="_blank" >RIV/00216224:14740/14:00079942 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Metrology of epitaxial layers *GaN

Original language description

*Utilization of characterization methods for development of *Al/GaN epitaxial technology. Evaluating the feasibility of MOCVD epitaxial growth of HEMT materials including structure characteristics and characterization methods. Perform characterization ofoptical properties of *Al/GaN layered system and propose metrology for layer thickness estimation. Perform correlation of measurement with FTIR system. Develop x-ray methods for characterization of defects in epitaxial *Al/GaN layers. Develop x-ray methods for fast analysis of composition of epitaxial *Al/GaN layers.

Czech name

—

Czech description

—

Type

V_souhrn - Summary research report

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

N - Vyzkumna aktivita podporovana z neverejnych zdroju

Publication year

2014

Confidentiality

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Number of pages

67

Place of publication

Masarykova univerzita, Brno

Publisher/client name

ONSEMI

Version

—