SIMS TOF-LEIS depth profilometer with nanometer depth resolution
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F08%3APR23504" target="_blank" >RIV/00216305:26210/08:PR23504 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
SIMS TOF-LEIS hloubkový profilometr s nanometrovým rozlišením
Original language description
Zařízení SIMS a TOF-LEIS slouží k analýze povrchů a tenkých vrstev. Unikátnost zařízení spočívá především v tom, že kromě standardních způsobů měření umožňuje střídavé profilování metodami SIMS a TOF-LEIS ve stejném místě vzorku. Zařízení využívá k analýze dvou iontových svazků s energiemi v intervalu 0,2 - 5 keV. Složení vrstev v závislosti na hloubce (hloubkový profil) je měřen pomocí iontů odprášených z povrchu pomocí dopadajícího iontového svazku (metoda SIMS). Kromě odprášených iontů jsou k analýzevyužívány odražené částice od analyzovaného vzorku (metoda TOF-LEIS). Součástí tohoto zařízení je autorský software zajišťující koordinaci obou metod.
Czech name
SIMS TOF-LEIS hloubkový profilometr s nanometrovým rozlišením
Czech description
Zařízení SIMS a TOF-LEIS slouží k analýze povrchů a tenkých vrstev. Unikátnost zařízení spočívá především v tom, že kromě standardních způsobů měření umožňuje střídavé profilování metodami SIMS a TOF-LEIS ve stejném místě vzorku. Zařízení využívá k analýze dvou iontových svazků s energiemi v intervalu 0,2 - 5 keV. Složení vrstev v závislosti na hloubce (hloubkový profil) je měřen pomocí iontů odprášených z povrchu pomocí dopadajícího iontového svazku (metoda SIMS). Kromě odprášených iontů jsou k analýzevyužívány odražené částice od analyzovaného vzorku (metoda TOF-LEIS). Součástí tohoto zařízení je autorský software zajišťující koordinaci obou metod.
Classification
Type
G<sub>funk</sub> - Functional sample
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GP202%2F07%2FP486" target="_blank" >GP202/07/P486: Depth profiling of 2D nanostructures by SIMS, TOF-LEIS and XPS combined with ion beam sputtering</a><br>
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Internal product ID
Zařízení SIMS TOF-LEIS
Numerical identification
—
Technical parameters
Získání hloubkových profilů tenkých vrstev pomocí odprašování nízkoenergiovými ionty střídavým měřením metodami SIMS a TOF-LEIS s rozlišením v jednotkách nanometrů a citlivostí v rádu ppm. Mezní tlak 9e-8 Pa, kontrola složení a
Economical parameters
Předpokládaná prodejní cena 3 mil. Kč. Náklady na pořízení 2.5 mil. Kč.
Application category by cost
—
Owner IČO
00216305
Owner name
ÚFI-odbor fyziky pevných látek a povrchů
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee requirement
N - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek
Web page
—