All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

SIMS TOF-LEIS depth profilometer with nanometer depth resolution

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26210%2F08%3APR23504" target="_blank" >RIV/00216305:26210/08:PR23504 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    čeština

  • Original language name

    SIMS TOF-LEIS hloubkový profilometr s nanometrovým rozlišením

  • Original language description

    Zařízení SIMS a TOF-LEIS slouží k analýze povrchů a tenkých vrstev. Unikátnost zařízení spočívá především v tom, že kromě standardních způsobů měření umožňuje střídavé profilování metodami SIMS a TOF-LEIS ve stejném místě vzorku. Zařízení využívá k analýze dvou iontových svazků s energiemi v intervalu 0,2 - 5 keV. Složení vrstev v závislosti na hloubce (hloubkový profil) je měřen pomocí iontů odprášených z povrchu pomocí dopadajícího iontového svazku (metoda SIMS). Kromě odprášených iontů jsou k analýzevyužívány odražené částice od analyzovaného vzorku (metoda TOF-LEIS). Součástí tohoto zařízení je autorský software zajišťující koordinaci obou metod.

  • Czech name

    SIMS TOF-LEIS hloubkový profilometr s nanometrovým rozlišením

  • Czech description

    Zařízení SIMS a TOF-LEIS slouží k analýze povrchů a tenkých vrstev. Unikátnost zařízení spočívá především v tom, že kromě standardních způsobů měření umožňuje střídavé profilování metodami SIMS a TOF-LEIS ve stejném místě vzorku. Zařízení využívá k analýze dvou iontových svazků s energiemi v intervalu 0,2 - 5 keV. Složení vrstev v závislosti na hloubce (hloubkový profil) je měřen pomocí iontů odprášených z povrchu pomocí dopadajícího iontového svazku (metoda SIMS). Kromě odprášených iontů jsou k analýzevyužívány odražené částice od analyzovaného vzorku (metoda TOF-LEIS). Součástí tohoto zařízení je autorský software zajišťující koordinaci obou metod.

Classification

  • Type

    G<sub>funk</sub> - Functional sample

  • CEP classification

    BM - Solid-state physics and magnetism

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    <a href="/en/project/GP202%2F07%2FP486" target="_blank" >GP202/07/P486: Depth profiling of 2D nanostructures by SIMS, TOF-LEIS and XPS combined with ion beam sputtering</a><br>

  • Continuities

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Others

  • Publication year

    2008

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Internal product ID

    Zařízení SIMS TOF-LEIS

  • Numerical identification

  • Technical parameters

    Získání hloubkových profilů tenkých vrstev pomocí odprašování nízkoenergiovými ionty střídavým měřením metodami SIMS a TOF-LEIS s rozlišením v jednotkách nanometrů a citlivostí v rádu ppm. Mezní tlak 9e-8 Pa, kontrola složení a

  • Economical parameters

    Předpokládaná prodejní cena 3 mil. Kč. Náklady na pořízení 2.5 mil. Kč.

  • Application category by cost

  • Owner IČO

    00216305

  • Owner name

    ÚFI-odbor fyziky pevných látek a povrchů

  • Owner country

    CZ - CZECH REPUBLIC

  • Usage type

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Licence fee requirement

    N - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek

  • Web page