Selfordered Pore Structure of Anodized Alumina Thin Film on Si Substrate
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU51865" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU51865 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Selfordered Pore Structure of Anodized Alumina Thin Film on Si Substrate
Original language description
The purpose of our method is creating a template for electro deposition of nanowires directly on n-type Si substrate. The thickness of aluminum layer is 1-2 um. The first task was to find an efficient method for deposition of thin alumina film. The sputtering was found to be unsuitable for anodization process because nanocrytals had been created during the deposition of film. The creating of ordered pore structure failed. We found conditions in which aluminum layer is not dissolved during anodization beefore than pore structure is created.
Czech name
Samouspořádací pórovitá struktura anodizované tenkovrstvé keramiky na Si susbtrátu
Czech description
Cílem metody je vytvoření šablony pro elektrodepozici nanotyčinek přímo na n-typ Si substrát. Tloušťka hliníkové vrstvy je 1-2 um. Prvním úkolem bylo nalezeníúčinné metody pro depozici tenké vrstvy hliníku. Naprašování bylo vyhodnoceno jako nevhodná technika pro následnou anodizaci, protože během anodizace vrstvy vznikaly velké krystaly. Vytváření uspořádané struktury poté selhávalo. Nalezli jsme podmínky ve kterém hliníková vrstva není rozpuštěna během anodizace předtím než vznikne pórovitá struktura.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
CG - Electrochemistry
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GP102%2F04%2FP162" target="_blank" >GP102/04/P162: Micro- and nanomachining structures fabricated by microelectronics technologies</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Electronic Devices and Systems IMAPS CS International Conference 2005
ISBN
80-214-2990-9
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
300-303
Publisher name
Ing. Zdeněk Novoný, CSc.
Place of publication
NEUVEDEN
Event location
Brno
Event date
Sep 15, 2005
Type of event by nationality
CST - Celostátní akce
UT code for WoS article
—