All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Observation of Multilayer Semiconductor Structures in the Scanning Electron Microscope

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU52236" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU52236 - isvavai.cz</a>

  • Alternative codes found

    RIV/68081731:_____/05:00022834

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    Observation of Multilayer Semiconductor Structures in the Scanning Electron Microscope

  • Original language description

    Scanning Electron Microscopes (SEMs) have been used for various applications in the semiconductor industry. Observation of the cross section of semiconductor devices can give important information about the layer structure, film thicknesses and the defects localization. The way to obtain more information about the multilayer semiconductor structure is observation using SEM with various detection modes. The aim of this contribution is to give information about the detection modes used to the visualizatioon of semiconductor structures in the SEM.

  • Czech name

    Pozorování vícevrstvých polovodičových struktur v rastrovacím elektronovém mikroskopu

  • Czech description

    Práce se zabývá problémy vznikajícími při pozorování polovodičových vzorků v rastrovacím elektronovém mikroskopu. Zvláštní pozornost je věnována scintilačnímu detektoru zpětně odražených elektronů, který je pro tento účel velmi vhodný. Jednak díky možnosti pozorovat materiálový kontrast vzorku a tím přesně rozlišit jednotlivé vrstvy vzorku. A také protože se při snímání obrazu tímto detektorem neprojevuje tolik nabíjení méně vodivých vrstev vzorku, jako u detektorů sekundárních elektronů.

Classification

  • Type

    D - Article in proceedings

  • CEP classification

    JA - Electronics and optoelectronics

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Others

  • Publication year

    2005

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Article name in the collection

    Proceedings of IMAPS CS International Conference 2005

  • ISBN

    80-214-2990-9

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Number of pages

    3

  • Pages from-to

    248-250

  • Publisher name

    Vysoké učení technické v Brně

  • Place of publication

    Brno

  • Event location

    Brno

  • Event date

    Sep 15, 2005

  • Type of event by nationality

    CST - Celostátní akce

  • UT code for WoS article