Noise fluctuation in MOSFET structures

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU57131" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU57131 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

šumové fluktuace v MOSFET strukturách

Original language description

V průběhu posledních let bylo prokázáno, že zejména elektronické součástky na bázi polovodičů jsou zdroji proudových či napěťových fluktuací. Oblasti přechodu PN i homogenní polovodiče jsou zdroji mnoha typů šumu, který vzniká na nežádoucích defektech vestruktuře monokrystalu nebo technologickou nedokonalostí při přípravě přechodu PN. V oblasti diagnostiky materiálů a součástek existuje řada metod. Šumové diagnostické metody vycházejí ze skutečnosti, že transport nosičů náboje, vyzařování a pohlcovánísvětla a další procesy, probíhající při vedení proudu v materiálech a součástkách jsou stochastické povahy a projevují se fluktuací proudu, napětí a dalších veličin např. odporu či kapacity a v případech laserů či luminiscenčních diod též jako fluktuacesvětelného toku. Statistické charakteristiky těchto fluktuací přinášejí další cenné informace o procesech, probíhajících ve sledovaných soustavách a d

Czech name

šumové fluktuace v MOSFET strukturách

Czech description

V průběhu posledních let bylo prokázáno, že zejména elektronické součástky na bázi polovodičů jsou zdroji proudových či napěťových fluktuací. Oblasti přechodu PN i homogenní polovodiče jsou zdroji mnoha typů šumu, který vzniká na nežádoucích defektech vestruktuře monokrystalu nebo technologickou nedokonalostí při přípravě přechodu PN. V oblasti diagnostiky materiálů a součástek existuje řada metod. Šumové diagnostické metody vycházejí ze skutečnosti, že transport nosičů náboje, vyzařování a pohlcovánísvětla a další procesy, probíhající při vedení proudu v materiálech a součástkách jsou stochastické povahy a projevují se fluktuací proudu, napětí a dalších veličin např. odporu či kapacity a v případech laserů či luminiscenčních diod též jako fluktuacesvětelného toku. Statistické charakteristiky těchto fluktuací přinášejí další cenné informace o procesech, probíhajících ve sledovaných soustavách a d

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2006

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích

ISBN

80-7355-062-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

95

Pages from-to

89-183

Publisher name

VUT Brno

Place of publication

Brno

Event location

Brno

Event date

Dec 12, 2005

Type of event by nationality

CST - Celostátní akce

UT code for WoS article

—