Local Avalanche Breakdowns in Semiconductor GaAsP Diodes

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU45426" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU45426 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Local Avalanche Breakdowns in Semiconductor GaAsP Diodes
Original language description
Currently, the occurrence of microplasma regions in PN junctions is attributed to crystal lattice imperfections. As a rule, these regions feature lower strong-field avalanche ionization breakdown voltages than other homogeneous junction regions. The existence of such regions may lead to local avalanche breakdowns occurring in reverse-biased PN junctions at certain voltages. Macroscopically, these breakdowns are manifested as microplasma noise. Studying the current conductivity bi-stable mechanism thus mmay be used as an efficient tool to evaluate the PN junction inhomogeneity.
Czech name
Lokální lavinové průrazy v polovodičových GaAsP diodách
Czech description
Výskyt oblastí mikroplazmy v PN přechodech je podmíněn nedokonalostmi krystalické struktury. V důsledku tohoto vykazují tyto oblasti nižší napětí nutné ke vzniku lokálních lavinových průrazů, než je průrazné napětí zbytku homogenního PN přechodu.

Project
<a href="/en/project/GA102%2F03%2F0621" target="_blank" >GA102/03/0621: Irreversible processes in insulating materials for high temperature</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2004
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)