All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

One-directional ESD protection structures tunable by geometrical mask adjustments only

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU63705" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU63705 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    One-directional ESD protection structures tunable by geometrical mask adjustments only

  • Original language description

    The ESD (electrostatic discharge) protection structures act as a protection against the parasitic electrostatic discharge stresses in integrated circuits. The use of these structures provides better robustness against ESD stresses but also a number of secondary features, which degrades the circuit performance. These features are for example degradation of the bandwidth, bigger noise or lower gain. The ESD protections are based on regulator diodes or similar semiconductor variations that work in the areaof non-destructive breakdown for discharging parasitic charge. It observes if is possible to set different characteristics of such structures by geometrical masks adjustments only during its production.

  • Czech name

    Jednosměrné ochranné ESD struktury nastavitelné geometrickou maskou

  • Czech description

    Struktury ochran ESD (electrostatic discharge) slouží k ochraně integrovaných obvodů proti parazitním elektrostatickým výbojům. Použití těchto struktur s sebou přináší sice vyšší odolnost vůči ESD stresům, ale také řadu sekundárních jevů, které omezují činnost obvodu. Tyto jevy například omezují šířku pásma přenášených signálů, způsobují vyšší šum nebo nižší zisk. Ochranné struktury ESD jsou založeny na principu Zenerových diod, nebo jiných polovodičových variací, které využívají oblast nedestruktivníhoprůrazu k vybití parazitního náboje. Ukázalo se, že by bylo možné, nastavovat vlastnosti těchto struktur pouze příslušným přizpůsobením geometrické masky při výrobě.

Classification

  • Type

    D - Article in proceedings

  • CEP classification

    JA - Electronics and optoelectronics

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    <a href="/en/project/GD102%2F03%2FH105" target="_blank" >GD102/03/H105: Modern methods of electronic circuit analysis, design and applications</a><br>

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Others

  • Publication year

    2006

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Article name in the collection

    Moderní metody řešení,návrhu a aplikace elektronických obvodů

  • ISBN

    80-214-3328-0

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Number of pages

    5

  • Pages from-to

    6-10

  • Publisher name

    Ing. Zdeněk Novotný, CSc

  • Place of publication

    Neuveden

  • Event location

    Brno

  • Event date

    Nov 24, 2006

  • Type of event by nationality

    CST - Celostátní akce

  • UT code for WoS article