Sensitivity analysis of NMOS transistor
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU65049" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU65049 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Citlivostní analýza tranzistoru NMOS
Original language description
Je popsáno využití systému ISE TCAD pro zjištění jak změny základních parametrů technologického procesu ovlivňují změnu prahového napětí NMOS tranzistoru. Je aplikována nízkopříkonová technologie CMOS s délkou hradla 0.15 ?m. Struktura NMOS tranzistoru je generována s využitím programů DIOS a MDRAW. Program DESSIS simuluje strukturu a generuje elektrické charakteristiky, ze kterých program INSPECT extrahuje prahové napětí. Program OPTIMISE generuje příslušné simulační experimenty a počítá citlivost prahového napětí vzhledem k jednotlivým zvoleným parametrům technologického procesu.
Czech name
Citlivostní analýza tranzistoru NMOS
Czech description
Je popsáno využití systému ISE TCAD pro zjištění jak změny základních parametrů technologického procesu ovlivňují změnu prahového napětí NMOS tranzistoru. Je aplikována nízkopříkonová technologie CMOS s délkou hradla 0.15 ?m. Struktura NMOS tranzistoru je generována s využitím programů DIOS a MDRAW. Program DESSIS simuluje strukturu a generuje elektrické charakteristiky, ze kterých program INSPECT extrahuje prahové napětí. Program OPTIMISE generuje příslušné simulační experimenty a počítá citlivost prahového napětí vzhledem k jednotlivým zvoleným parametrům technologického procesu.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích
ISBN
80-214-3342-6
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
106-109
Publisher name
Nakl. Novotný
Place of publication
Brno
Event location
Brno
Event date
Dec 12, 2006
Type of event by nationality
CST - Celostátní akce
UT code for WoS article
—