Reactive magnetron sputtering of SiNx layers for surface passivation of crystalline solar cells
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F06%3APU65130" target="_blank" >RIV/00216305:26220/06:PU65130 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Reaktivní magnetronové naprašování vrstev SiNx pro povrchovou pasivaci krystalických solárních článků
Original language description
Hlavní výhodou pasivačních vrstev vytvářených reaktivním magnetronovým naprašováním je zejména nízká procesní teplota. Použití nízkoteplotní depozice umožňuje redukci poruch krystalické mřížky křemíkového povrchu. Díky tomu je snižována rekombinační rychlost a prodlužuje se doba života minoritních nosičů. Cílem práce je vytvořit pasivační vrstvu na povrchu fotovoltaického solárního článku, jejíž struktura umožní zlepšení optických a elektrických vlastností celého článku.
Czech name
Reaktivní magnetronové naprašování vrstev SiNx pro povrchovou pasivaci krystalických solárních článků
Czech description
Hlavní výhodou pasivačních vrstev vytvářených reaktivním magnetronovým naprašováním je zejména nízká procesní teplota. Použití nízkoteplotní depozice umožňuje redukci poruch krystalické mřížky křemíkového povrchu. Díky tomu je snižována rekombinační rychlost a prodlužuje se doba života minoritních nosičů. Cílem práce je vytvořit pasivační vrstvu na povrchu fotovoltaického solárního článku, jejíž struktura umožní zlepšení optických a elektrických vlastností celého článku.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích
ISBN
80-214-3342-6
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
6
Pages from-to
124-129
Publisher name
nakl. Z. Novotný
Place of publication
NEUVEDEN
Event location
Brno
Event date
Dec 12, 2006
Type of event by nationality
CST - Celostátní akce
UT code for WoS article
—