Sputtered SiNx, AlN and SiC as passivation and ARC layers

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F07%3APU69038" target="_blank" >RIV/00216305:26220/07:PU69038 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Sputtered SiNx, AlN and SiC as passivation and ARC layers
Original language description
Different types of mono-crystalline solar cell surfaces are presented in this article. Reactively sputtered layers of different compositions (SiNx, AlN and SiC) are used for passivation coatings on both cells sides. Sputtering technology gives the possibility to replace high-temperature processes which decrease surface and bulk defect density. Consequently, sputtering results in higher solar cell efficiency. Surface and bulk recombination parameters were measured by means of microwave photoconductivitydecay (MW-PCD).
Czech name
Naprašování SiNx, AlN, SiC pro vytváření pasivačních a antireflexních vrstev
Czech description
V tomto článku jsou prezentovány různé typy povrchů monokrystalických křemíkových článků. Pro oboustranou povrchovou pasivaci byly zvoleny tři druhy materiálů (SiNx, AlN, SiC). Technologie reaktivního magnetronového naprašování umožňuje odstranění vysokoteplotních depozičních metod a tím přispívá ke snížení povrchového defektu křemíkový článků. Vlastnosti takových vrstev byly ověřovány metodou MW-PCD a elipsometrickým měřením.

Publication year
2007
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)