Nanooptics of locally induced photocurrent in Si solar cells

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU75266" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU75266 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Nanooptics of locally induced photocurrent in Si solar cells

Original language description

This paper is intended to present the results of our experimental study of local defect in silicon solar cells. Solar cells defects are evaluated by Near-field optical induced photocurrent, scanning near-field optical microscope characterization and noise spectroscopy. Low frequency noise is a more sensitive tool for analyzing of degradation phenomena, like electro migration and sort of breakdown. All type of noise - thermal, shot, generation, recombination and 1/f type of noise play a different role inreliability analysis. The correlation between noise and transport characteristic indicates possibility of this diagnostic tool. Therefore the SNOM, NOBIC and noise spectroscopy represent the coupling of very useful methods to provide a non-destructive characterization on silicon semiconductor solar cells.

Czech name

Nanooptika lokálně indukovaného fotoproudu v Si solárních článcích

Czech description

Článek přináší výsledky experimentálního studia lokálních defektů v křemíkových solárních článcích. Ty jsou zjišťovány pomocí metody NOBIC, tj. lokálně indukovaném fotoproudu v blízkém poli, topografií a lokální odrazivostí měřenou pomocí SNOM a šumovouspektroskopií. Korelace mezi šumem a transportními charakteristikami indikuje možnosti tohoto diagnostického nástroje, který je navíc doplněn o metody SNOM, NOBIC tak, že je možné provádět několik nedestruktivních měření na křemíkových solárních článcíchsoučasně.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA102%2F08%2F1474" target="_blank" >GA102/08/1474: Local optical and electronic characterisation of optoelectronic structures with nanometric resolution</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2008

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Photonics Prague 2008

ISBN

978-80-86742-25-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

2

Pages from-to

—

Publisher name

Zeithamlová Milena, Ing. - Agentura Action M

Place of publication

Prague

Event location

Praha

Event date

Aug 27, 2008

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—