Nanooptics of locally induced photocurrent in monocrystalline Si solar cells

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU76509" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU76509 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Nanooptics of locally induced photocurrent in monocrystalline Si solar cells

Original language description

This paper presents the results of our experimental study of high resolution map of induced photocurrent in monocrystalline silicon solar cells. Photovoltaic solar cells are evaluated by Near-field Optical Beam Induced photocurrent (NOBIC), as well as byScanning Near-field Optical Microscope (SNOM) topography and reflection. The correlation between reflection and transport characteristic indicates possibility of this diagnostic tool. Therefore the SNOM and NOBIC represent the coupling of very useful methods to provide a non-destructive local characterization on silicon semiconductor solar cells.

Czech name

Nanooptika lokálně indukovaného fotoproudu v monokrystalických Si solárních článcích

Czech description

Článek přináší výsledky experimentální studii detailního mapování s vysokým rozlišením lokálně indukovaného fotoproudu v monokrystalických solárních článcích. Fotovoltaické články jsou studovány pomocí metody NOBIC (fotoproud indukovaný pomocí blízkého optického pole) a jejich odrazivost a topografie je studována pomocí SNOM mikroskopu. Vysoká korelace odrazivosti a transportních charakteristik ukazují na možnosti tohoto diagnostického nástroje. Tedy SNOM a NOBIC je spojením velmi účinných metod, kteréumožní nedestruktivní charakterizaci křemíkových solárních článků.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA102%2F08%2F1474" target="_blank" >GA102/08/1474: Local optical and electronic characterisation of optoelectronic structures with nanometric resolution</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2008

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Photonics, Devices and Systems - Proceedings of SPIE vol.7138

ISBN

978-0-8194-7379-0

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

6

Pages from-to

—

Publisher name

SPIE

Place of publication

Bellingham, USA

Event location

Praha

Event date

Aug 27, 2008

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—