Near field photocurrent spectroscopy of crystalline GaAs solar cells

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F04%3APU44337" target="_blank" >RIV/00216305:26220/04:PU44337 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Near field photocurrent spectroscopy of crystalline GaAs solar cells

Original language description

Visible Scanning Near Field Optical Microscopy (SNOM) was used to study cleaved edges of GaAs solar cell devices. SNOM is a relatively new technique that combines the versatility of optical microscopy with the resolution of a scanning probe microscope. Light coupled into a tapered optical fiber is used for excitation. The fiber probe is scanned over the sample while being held ~10 nm above the surface. At this point, any number of high resolution (~100 nm) optical measurements can be made. In this work,we measured the NSOM-induced photocurrent in GaAs devices. Our goal was to obtain spatially resolved measurements of the photocurrent response across the various layers in crystalline GaAs solar cells, by studying the cleaved edges of the cells. For excitation energies well above the bandgap, carrier recombination at the cleaved surface had a strong influence on the photocurrent signal. Decreasing the excitation energy, which increased the optical penetration depth, allowed the effects

Czech name

Spektroskopie fotoproudu v blízkém poli krystalických GaAs solárních článků

Czech description

Rastrovací optická mikroskopie v blízkém poli ve viditelné oblasti je relativně nová technika, která kombinuje všestrannost optického mikroskopu s rozlišením sondových mikroskopů. Světlo vevázané do hrotu optického vlákna excituje vzorek a je možné je použít ke spektroskopickým měřením. Zde je použito k meření SNOM indukovaného fotoproudu na GaAs součástkách. Cílem je dosáhnout měření odezvy fotoproudu různých vrstev krystalického GaAs slunečního článku s vysokým prostorovým rozlišením. K tomu se použžívá měření na hranách zlomu článků.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/ME%20544" target="_blank" >ME 544: Semiconductors - local optical and electrical properties</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2004

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

CO-MAT-TECH 2004, Proceeding of 12. International Scientific Conference

ISBN

80-227-2117-4

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

6

Pages from-to

1365-1370

Publisher name

Vydavatelstvo STU Bratislava

Place of publication

Trnava

Event location

Trnava

Event date

Oct 14, 2004

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—