Study of local properties of silicon solar cells

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU76145" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU76145 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Study of local properties of silicon solar cells

Original language description

Study of optical and photoelectrical properties of solar cells is important for cell development and its optimizing. A scanning near-field optical microscope (SNOM) proves to be an invaluable tool for studying (not only) monocrystalline silicon solar cells in microscale resolution. It does not reach as high a resolution as the atomic force microscope (AFM), but it makes the local optical excitation of specimen possible. With regard to the nature of the surface of the solar cell under investigation, theresolution of modified SNOM is more than sufficient. Topography, local reflective power and electrical response measurements of the solar cell are performed in the microscale, even nanoscale resolution. Lock-in nanovoltmetr is used for solar cell local electric response measurement. All of the mentioned measurements can be carried out simultaneously at the same point of the solar cell surface, which is a great benefit of this method. Relationships between the images obtained in the vario

Czech name

Studium lokálních vlastností křemíkových solárních článků

Czech description

Studium optických a fotoelektrických vlastností solárních článků hraje důležitou roli při jejich vývoji. Optický skenovací mikroskop se sondou v blízkém poli SNOM umožňuje lokální studium optických a fotoelektrických vlastností vzorků v mikroskopickém měřítku. S využitím této mikroskopické techniky je možné stanovit topografii, lokální odrazivost a elektrickou odezvu na lokální optické buzení. Fázově citlivý nanovoltmetr je použit k detekci slabých elektrických signálů vzorku. Zmíněná měření lze provádět současně, tedy ve stejné oblasti povrchu vzorku, a proto lze měření následně dát do přímé souvislosti. Cílem článku je určení míst na povrchu vzorku, kde je efektivita přeměny optického záření na elektrickou energii maximální a nalezení případných defektů.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GA102%2F08%2F1474" target="_blank" >GA102/08/1474: Local optical and electronic characterisation of optoelectronic structures with nanometric resolution</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2008

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Proceeding of 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference

ISBN

3-936338-24-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

4

Pages from-to

—

Publisher name

WIP - Renewable Energies

Place of publication

Valencia Spain

Event location

Valencie

Event date

Sep 1, 2008

Type of event by nationality

EUR - Evropská akce

UT code for WoS article

—