Local near-field scanning optical microscopy and spectroscopy of nanostructures

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F05%3APU47444" target="_blank" >RIV/00216305:26220/05:PU47444 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Local near-field scanning optical microscopy and spectroscopy of nanostructures
Original language description
Visible and near infrared Scanning Near Field Optical Microscopy (SNOM) was used to characterize nanostructured semiconductor materials and structures. SNOM is a relatively new technique that combines the versatility of optical microscopy with the resolution of a scanning probe microscope. Light coupled into a tapered optical fiber is used for excitation. The fiber probe is scanned over the sample while being held ~10 nm above the surface. At this point, any number of high resolution (~100 nm) optical mmeasurements can be made. In this work, the SNOM-induced photocurrent in GaAs devices was measured.
Czech name
Lokální mikroskopie a spektroskopie nanostrusktur pomocí blízkého optického pole
Czech description
Optická mikroskopie v blízkém poli (SNOM)ve viditelné a IČ oblasti je použita k charakterizování nanostrukturovaných polovodičových materiálů. SNOM je relativně nová technika, která spojuje výhody optického mikroskopu s rozlišením rastrovacího mikroskopu. Sonda ze špičatého optického vlákna osvětluje předmět ze vzdálenosti ~10 nm a v této vzdálenosti je doaženo rozlišení ~100 nm. V této práci bylo pomocí SNOM provedeno měření lokálně indukovaného fotoproudu v GaAs strukturách.

Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)