Model design of the switched current first generation memory cell
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU75380" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU75380 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Model design of the switched current first generation memory cell
Original language description
Article describes procedure of the equivalent model design of the read switched current first generation memory cell. The result model is created by the fundamental blocks in Matlab-Simulink. Created model provides structural simulations like a delta-sigma modulator behavior influenced by switched current errors.
Czech name
Model design of the switched current first generation memory cell
Czech description
Článek popisuje návrh ekvivalentního modelu proudové paměťové buňky první generace. Výsledný model je tvořen základními bloky prostředí Matlab-Simulink. Vytvořený model umožnuje analýzu chování obvodů vytvářených s využitím techniky spínaných proudů jakojsou především modulátory delta-sigma.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
IMAPS CS International Conference 2008 Proceedings
ISBN
978-80-214-3717-3
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
5
Pages from-to
—
Publisher name
Ing. Zdeněk Novotný CSc., Ondráčkova 105
Place of publication
Brno
Event location
Brno
Event date
Sep 10, 2008
Type of event by nationality
WRD - Celosvětová akce
UT code for WoS article
—