Semiconductor devices simulation using drift diffusion scheme

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU75947" target="_blank" >RIV/00216305:26220/08:PU75947 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Semiconductor devices simulation using drift diffusion scheme
Original language description
The paper deals with the numerical modeling of the semiconductor devices. The drift-diffusion macro model of the free carriers transport is discussed and combined with the Poisson equation to evaluation of device features. The thermal phenomenon is considered in correct physical model of the power components. The basic semiconductor equations are summarized, and modeling issues are discussed. The demonstrative simulation of the Gunn diode is performed in COMSOL Multiphysics computation environment usingfinite element method.
Czech name
Použití schématu driftu a difuze pro simulaci polovodičových struktur
Czech description
Článek se zabývá numerickým modelováním polovodičových struktur. Makromodel driftu a difuze volných nosičů náboje a Poissonova rovnice jsou použity pro charakterizaci vlastností zkoumacných struktur. Tepelné učinky jsou také zahrnuty v případě výkonovýchpolovodičových zařízení. Základní rovnice pro polovodiče jsou shrnuty a diskutovány ve vztahu s demostrativním modelem Gunnovy diody. Výpočty byly provedeny ve výpočetním prostředí programu COMSOL Multiphysic.

Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)