Extended electrical and thermal properties of single junction silicon solar cells

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F09%3APU80768" target="_blank" >RIV/00216305:26220/09:PU80768 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Extended electrical and thermal properties of single junction silicon solar cells

Original language description

This paper reports an electrical measurement of the single junction solar cells based on silicon technology. Defects of these samples are often local and can result in lower efficiency or shorter solar cell lifetime. Consequently, we can observe many ofdefects in electric characteristics of solar cells. Measured IV-characteristics and noise signals provide information for defects classification and/or identification. The results of two basic types of the silicon solar cells measurements at very low temperatures are presented in this paper. Used types of solar cells differ above all in the surface texturing and dopand concentration. The cryogenic system is used to accurate setting of temperature with wide range of operating temperatures. The microscopic study of the samples surface is presented, too.

Czech name

Elektrické a tepelné vlastnosti jednopřechodových solárních článků

Czech description

Tento článek stručně pojednává o elektrických měřeních jednopřechodových solárních článků založených na křemíkové technologii. Defekty těchto článků jsou často lokální a mohou způsobovat nižší efektivitu a životnost. Tyto defekty můžeme následně pozorovat i v elektrických charakteristikách solárních článků. Měření AV charakteristik a šumových signálů poskytují informace pro klasifikaci defektů a jejich identifikaci. Zde budou prezentovány i výsledky měření dvou základních typů solárních článků při nízkých teplotách. Zmíněné základní typy se přitom liší především v povrchové textuře a koncentracích příměsí. Pro měření byl využit kryogenický systém umožňující měření při velmi přesných teplotách a měření bude doplněno i o mikroskopické studium povrchu.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/GD102%2F09%2FH074" target="_blank" >GD102/09/H074: Diagnostics of material defects using the latest defectoscopic methods</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2009

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Proceedings of the 15th conference Student EEICT 2009

ISBN

978-80-214-3869-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

5

Pages from-to

—

Publisher name

VUT v Brně

Place of publication

Brno

Event location

FEKT VUT v Brně

Event date

Apr 23, 2009

Type of event by nationality

CST - Celostátní akce

UT code for WoS article

—