All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Fast operating SiC MOSFET or IGBT gate driver

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26220%2F13%3APR27108" target="_blank" >RIV/00216305:26220/13:PR27108 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

    <a href="http://www.uvee.feec.vutbr.cz/fvzorky" target="_blank" >http://www.uvee.feec.vutbr.cz/fvzorky</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    čeština

  • Original language name

    Rychlý budič tranzistorů SiC MOSFET a IGBT

  • Original language description

    Budič GD001 zajišťuje galvanické oddělení řídicích obvodů od spínacích prvků. Těmi mohou být tranzistory SiC MOSFET (z perspektivního karbidu křemíku), IGBT nebo klasické Si MOSFET. Výstup budiče je dimenzován na špičkový proud až 4A. Galvanické oddělenínapájecího napětí budiče zajišťuje rezonanční DC/DC měnič malého výkonu. Na rozdíl od komerčně dostupných budičů umožňuje budič GD001 dosažení podstatně vyšších spínacích kmitočů - až 2 MHz. Velmi malá paraziní vazební kapacita izolační bariéry dále umožňuje dosažení velmi vysoké strmosti změny napětí na izolační bariéře (dU/dt).

  • Czech name

    Rychlý budič tranzistorů SiC MOSFET a IGBT

  • Czech description

    Budič GD001 zajišťuje galvanické oddělení řídicích obvodů od spínacích prvků. Těmi mohou být tranzistory SiC MOSFET (z perspektivního karbidu křemíku), IGBT nebo klasické Si MOSFET. Výstup budiče je dimenzován na špičkový proud až 4A. Galvanické oddělenínapájecího napětí budiče zajišťuje rezonanční DC/DC měnič malého výkonu. Na rozdíl od komerčně dostupných budičů umožňuje budič GD001 dosažení podstatně vyšších spínacích kmitočů - až 2 MHz. Velmi malá paraziní vazební kapacita izolační bariéry dále umožňuje dosažení velmi vysoké strmosti změny napětí na izolační bariéře (dU/dt).

Classification

  • Type

    G<sub>funk</sub> - Functional sample

  • CEP classification

    JA - Electronics and optoelectronics

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    <a href="/en/project/ED0014%2F01%2F01" target="_blank" >ED0014/01/01: Research and Technology Centre of Renewable Energy Sources</a><br>

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Others

  • Publication year

    2013

  • Confidentiality

    C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Data specific for result type

  • Internal product ID

    GD001

  • Numerical identification

  • Technical parameters

    Napájecí napětí 15V +-2V Maximální příkon 2W Pracovní kmitočet budiče 0-2MHz Špičkový výstupní proud až 4A Odolnost dU/dt minimálně 50kV/us Rozměry 81x30x8 mm

  • Economical parameters

    Na rozdíl od existujících řešení umožní bez problémů dosáhnout vysokých spínacích kmitočtů za přijatelnou cenu.

  • Application category by cost

  • Owner IČO

    00216305

  • Owner name

    Centrum výzkumu a využití obnovitelných zdrojů energie

  • Owner country

    CZ - CZECH REPUBLIC

  • Usage type

    A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

  • Licence fee requirement

    A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

  • Web page