Metal-nitride layer with plasmonic optical structure

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F19%3APR32597" target="_blank" >RIV/00216305:26620/19:PR32597 - isvavai.cz</a>

Result on the web

<a href="http://surfaces.fme.vutbr.cz/laboratories/developed-instruments/2019-gan/" target="_blank" >http://surfaces.fme.vutbr.cz/laboratories/developed-instruments/2019-gan/</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

Metal-nitridová vrstva s plazmonickou optickou strukturou

Original language description

4“ (čtyřpalcová) safírová podložka s mikrokrystalickou vrstvou GaN a stříbrnými nanokrystaly, které mají plazmonickou resonanci ve viditelné oblasti, poblíž UV. Postup přípravy GaN vrstvy: 1. Ohřev safírové podložky na T = 800 °C po dobu 60 min., stabilizace teploty, 2. ochlazování podložky na nukleační teplotu 650 °C, 3. nukleace vrstvy po dobu 3 min., 4. ohřev na depoziční teplotu, 5. první část depozice vrstvy GaN z TMGa (trimetylgallium, tok 50 sccm) a NH3 (amoniak, tok 3000 sccm) při tlaku v depoziční komoře 150 Torr a teplotě podložky 810 °C, doba depozice 30 min, 6. druhá část depozice (tok TMGa 35 sccm, tok amoniaku 3600 sccm), při tlaku 120 Torr a teplotě podložky 830 °C, doba depozice 30 min., 7. řízené ochlazování v dusíkové atmosféře 60 min. Jako plazmonické struktury byly použity stříbrné koloidní nanočástice o velikosti 40 a 80 nm. Pro depozici stříbra byl roztok modifikován 3mM roztokem HCl (kvůli změně Zeta potenciálu GaN) a depozice z roztoku trvala 15 minut. Vzorek vykazuje fotoluminiscenci odpovídající velikosti zakázaného pásu GaN (3,4 eV/365 nm), difrakční spektrum odpovídá polykrystalické vrstvě s preferenční orientací.

Czech name

Metal-nitridová vrstva s plazmonickou optickou strukturou

Czech description

4“ (čtyřpalcová) safírová podložka s mikrokrystalickou vrstvou GaN a stříbrnými nanokrystaly, které mají plazmonickou resonanci ve viditelné oblasti, poblíž UV. Postup přípravy GaN vrstvy: 1. Ohřev safírové podložky na T = 800 °C po dobu 60 min., stabilizace teploty, 2. ochlazování podložky na nukleační teplotu 650 °C, 3. nukleace vrstvy po dobu 3 min., 4. ohřev na depoziční teplotu, 5. první část depozice vrstvy GaN z TMGa (trimetylgallium, tok 50 sccm) a NH3 (amoniak, tok 3000 sccm) při tlaku v depoziční komoře 150 Torr a teplotě podložky 810 °C, doba depozice 30 min, 6. druhá část depozice (tok TMGa 35 sccm, tok amoniaku 3600 sccm), při tlaku 120 Torr a teplotě podložky 830 °C, doba depozice 30 min., 7. řízené ochlazování v dusíkové atmosféře 60 min. Jako plazmonické struktury byly použity stříbrné koloidní nanočástice o velikosti 40 a 80 nm. Pro depozici stříbra byl roztok modifikován 3mM roztokem HCl (kvůli změně Zeta potenciálu GaN) a depozice z roztoku trvala 15 minut. Vzorek vykazuje fotoluminiscenci odpovídající velikosti zakázaného pásu GaN (3,4 eV/365 nm), difrakční spektrum odpovídá polykrystalické vrstvě s preferenční orientací.

Type

G_funk - Functional sample

CEP classification

—

OECD FORD branch

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Project

<a href="/en/project/TH02020926" target="_blank" >TH02020926: Experimental development of MOCVD apparatus for high temperature growth of A(III)B(V) semiconductors and applied research of metal-nitrides epitaxial thin film growth</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2019

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Internal product ID

GaN-Ag

Numerical identification

160912

Technical parameters

Velikost 4“ nebo 3 x 2,5 , fotoluminiscence na 365 nm

Economical parameters

Safírová podložka 4 , orientace c-plane (1760 Kč), odhad ceny depozice 3 500 Kč

Application category by cost

—

Owner IČO

—

Owner name

Chytré nanonástroje

Owner country

CZ - CZECH REPUBLIC

Usage type

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Licence fee requirement

A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

Web page

http://surfaces.fme.vutbr.cz/laboratories/developed-instruments/2019-gan/