2D-FET structures with induced stress

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F00216305%3A26620%2F20%3APR34125" target="_blank" >RIV/00216305:26620/20:PR34125 - isvavai.cz</a>

Result on the web

<a href="http://webzor.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=148" target="_blank" >http://webzor.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=148</a>

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

2D-FET struktury s indukovaným pnutím

Original language description

2D-FET struktury s indukovaným pnutím jsou vyrobeny na křemíkovém substrátu pomocí CMOS kompatibilních procesů. Struktury je možné mechanicky ohýbat a kontrolovaně do nich indukovat pnutí, čímž se mění vlastnosti 2D materiálu na povrchu, potažmo výstupní charakteristiky 2D-FET. 2D-FET je cíleně umístěn na nejcitlivějším místě na nosníku a reaguje tak nejvíce na změny v protažení nosníku vlivem ohybu. Tyto struktury je možné použít pro aplikace jako je např. měření a sledování buněk, enzymů, aminokyselin, DNA a RNA při pokojové teplotě anebo také měření toxických, výbušných, skleníkových plynů nebo chemických zplodin. Na Obrázek 1 je zobrazen layout 2D-FET struktury vytvořený v Klayoutu včetně detailů na nosníky a připojení elektrod a tvarovaného 2D materiálu. Na Obrázek 2 je zobrazen výrobní postup pro pole nosníků s 2D-FET strukturou pro řízení pnutí uvnitř grafenu. Na Obrázek 3 pak charakterizace grafenu pomocí Ramanovy spektroskopie. Na Obrázek 4 jsou výsledky FEM simulace pro nosník o rozměrech 60 μm x 100 μm. Na Obrázek 5 pak výstupní charakteristika pro FET strukturu s grafenem pro různá napětí VGS.

Czech name

2D-FET struktury s indukovaným pnutím

Czech description

2D-FET struktury s indukovaným pnutím jsou vyrobeny na křemíkovém substrátu pomocí CMOS kompatibilních procesů. Struktury je možné mechanicky ohýbat a kontrolovaně do nich indukovat pnutí, čímž se mění vlastnosti 2D materiálu na povrchu, potažmo výstupní charakteristiky 2D-FET. 2D-FET je cíleně umístěn na nejcitlivějším místě na nosníku a reaguje tak nejvíce na změny v protažení nosníku vlivem ohybu. Tyto struktury je možné použít pro aplikace jako je např. měření a sledování buněk, enzymů, aminokyselin, DNA a RNA při pokojové teplotě anebo také měření toxických, výbušných, skleníkových plynů nebo chemických zplodin. Na Obrázek 1 je zobrazen layout 2D-FET struktury vytvořený v Klayoutu včetně detailů na nosníky a připojení elektrod a tvarovaného 2D materiálu. Na Obrázek 2 je zobrazen výrobní postup pro pole nosníků s 2D-FET strukturou pro řízení pnutí uvnitř grafenu. Na Obrázek 3 pak charakterizace grafenu pomocí Ramanovy spektroskopie. Na Obrázek 4 jsou výsledky FEM simulace pro nosník o rozměrech 60 μm x 100 μm. Na Obrázek 5 pak výstupní charakteristika pro FET strukturu s grafenem pro různá napětí VGS.

Type

G_funk - Functional sample

CEP classification

—

OECD FORD branch

20201 - Electrical and electronic engineering

Project

<a href="/en/project/GJ18-06498Y" target="_blank" >GJ18-06498Y: Modulation of graphene physical properties due to controlled induced mechanical strain</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2020

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Internal product ID

2D-FET

Numerical identification

167301

Technical parameters

Parametry struktury: Rozměr čipu: 6x6 mm Velikost nosníků: od 60x100 µm po 60x400 µm Počet nosníků: 4x 16 nosníků Rozměr aktivní plochy 2D materiálu: od 10x1 µm po 10x50 µm

Economical parameters

Data nejsou dostupná.

Application category by cost

—

Owner IČO

—

Owner name

Chytré nanonástroje

Owner country

CZ - CZECH REPUBLIC

Usage type

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Licence fee requirement

A - Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

Web page

http://webzor.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=148