IAD method was used to prepare functional samples of combined dielectric HR/AR thin films on single-crystalline substrates

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F25296558%3A_____%2F20%3AN0000002" target="_blank" >RIV/25296558:_____/20:N0000002 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
čeština
Original language name
Funkční vzorky kombinovaných HR/AR vrstev s vysokým LIDT připravených na podložkách z monokrystalického materiálu
Original language description
Metodou IAD byly připraveny funkční vzorky dielektrických kombinovaných HR/AR vrstev na podložkách z aktivního laserového materiálu. LIDT na vlnové délce 1030 nm bude větší než 1,5 J/cm2 při 3 ns pulsech. Reflektivita na čerpací vlnové délce je větší než 95% při kolmém dopadu, reflektivita pro kolmý dopad emitovaného záření je menší než 0,5%.
Czech name
Funkční vzorky kombinovaných HR/AR vrstev s vysokým LIDT připravených na podložkách z monokrystalického materiálu
Czech description
Metodou IAD byly připraveny funkční vzorky dielektrických kombinovaných HR/AR vrstev na podložkách z aktivního laserového materiálu. LIDT na vlnové délce 1030 nm bude větší než 1,5 J/cm2 při 3 ns pulsech. Reflektivita na čerpací vlnové délce je větší než 95% při kolmém dopadu, reflektivita pro kolmý dopad emitovaného záření je menší než 0,5%.

Project
<a href="/en/project/TH02010579" target="_blank" >TH02010579: Stable thin films for optical and monocrystalline materials</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2020
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
TH02010579-V15
Numerical identification
TH02010579-V15
Technical parameters
Na podložkách Nd:YAG D6x4 mm byly metodou IAD připraveny funkční vzorky vrstev R>95%/AR 808/1064nm posunuté na 1030nm z materiálů Ta2O5/SiO2 (#2020_K64) a ZrO2/SiO2 (#2020_K66). Na vzorcích byl změřen práh poškození metodou r-on-1 pro 1030 nm při 10 ns pulsech a dosaženo hodnot 15,5 J/cm2 (#2020_K64) a 27,5 J/cm2 (#2020_K66).
Economical parameters
Výsledek bude využit pro další rozvoj technologie přípravy kombinovaných HR/AR vrstev s vysokým prahem poškození na monokrystalických materiálech. Technologie vedoucí k nejlepším výsledkům budou postupně implementovány do výroby pro komerční aplikace.
Application category by cost
—
Owner IČO
25296558
Owner name
CRYTUR, spol. s r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—

Similar results(10)