Trench Ultra Fast Rectifier for 600 V
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000001" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000001 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Trench Ultra Fast pro napětí do 600 V
Original language description
Trench Ultra Fast (TUF) pro napětí do 600 V je velmi rychlá dioda, která dosahuje mezí křemíkové technologie a svými parametry se blíží (nákladnějším) řešením na bázi SiC. Deska s čipy průměru 150 mm, standardní tloušťka substrátu 625 um, krystalografická orientace substrátu <100>, závěrné napětí až 600 V pro proudy do 50 A.
Czech name
Trench Ultra Fast pro napětí do 600 V
Czech description
Trench Ultra Fast (TUF) pro napětí do 600 V je velmi rychlá dioda, která dosahuje mezí křemíkové technologie a svými parametry se blíží (nákladnějším) řešením na bázi SiC. Deska s čipy průměru 150 mm, standardní tloušťka substrátu 625 um, krystalografická orientace substrátu <100>, závěrné napětí až 600 V pro proudy do 50 A.
Classification
Type
G<sub>funk</sub> - Functional sample
CEP classification
—
OECD FORD branch
20201 - Electrical and electronic engineering
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TH03010006" target="_blank" >TH03010006: RandD of high voltage Si rectifiers for effective conversion of high current power</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2021
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
TH03010006-V1
Numerical identification
—
Technical parameters
Trench Ultra Fast (TUF) pro napětí do 600 V je velmi rychlá dioda, která dosahuje mezí křemíkové technologie a svými parametry se blíží (nákladnějším) řešením na bázi SiC. Deska s čipy průměru 150 mm, standardní tloušťka substrátu 625 um, krystalografická orientace substrátu <100>, závěrné napětí až 600 V pro proudy do 50 A. Funkční vzorek je fyzicky archivován u příjemce, společně s charakterizačními daty.
Economical parameters
Referenční cena FE desky s čipy: 100$.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—