Qualified technology for growth of bulk crystals of silicon carbide

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000006" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000006 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
čeština
Original language name
Ověřená technologie růstu objemových krystalů karbidu křemíku
Original language description
Ověřená technologie růstu objemových krystalů karbidu křemíku (SiC) - Physical Vapor Transport (PVT). Délka krystalu min. 1 cm, průměr krystalu >150 mm (tj. pro výrobu substrátů průměru 150 mm), rychlost růstu min. 0.1 mm/hod. Objemové vlastnosti krystalu vhodné pro polovodičové aplikace (tj. udržení parametrů zárodečné desky, bez dodatečných defektů).
Czech name
Ověřená technologie růstu objemových krystalů karbidu křemíku
Czech description
Ověřená technologie růstu objemových krystalů karbidu křemíku (SiC) - Physical Vapor Transport (PVT). Délka krystalu min. 1 cm, průměr krystalu >150 mm (tj. pro výrobu substrátů průměru 150 mm), rychlost růstu min. 0.1 mm/hod. Objemové vlastnosti krystalu vhodné pro polovodičové aplikace (tj. udržení parametrů zárodečné desky, bez dodatečných defektů).

Project
<a href="/en/project/TH03020005" target="_blank" >TH03020005: RandD of Bulk Semiconductor Material with Wide Bandgap</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2021
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID
TH03020005-V5
Numerical identification
—
Technical parameters
Ověřená technologie růstu objemových krystalů karbidu křemíku (SiC) - Physical Vapor Transport (PVT). Délka krystalu min. 1 cm, průměr krystalu >150 mm (tj. pro výrobu substrátů průměru 150 mm), rychlost růstu min. 0.1 mm/hod. Objemové vlastnosti krystalu vhodné pro polovodičové aplikace (tj. udržení parametrů zárodečné desky, bez dodatečných defektů).
Economical parameters
Délka krystalu min. 1 cm, průměr krystalu >150 mm, cena krystalu <1000$/mm.
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—

Similar results(10)