Silicon Carbide Crystal
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F26821532%3A_____%2F21%3AN0000005" target="_blank" >RIV/26821532:_____/21:N0000005 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Krystal karbidu křemíku
Original language description
Objemový krystal karbidu křemíku (SiC) vyrobený metodou Physical Vapour Transport (PVT). Délka krystalu min. 1 cm, průměr krystalu min. 150 mm (tj. pro výrobu desek průměru 150 mm). Splnění specifikace pro polovodičové aplikace (bez objemových defektů) - splnění klíčového požadavku ověřeno komplexním měřením na deskách z krystalu (analýza povrchu, selektivní leptání pro zviditelňování defektů, analýzy vnitřního pnutí, mikroskopické analýzy) a potvrzena aplikačními testy (epitaxní růst).
Czech name
Krystal karbidu křemíku
Czech description
Objemový krystal karbidu křemíku (SiC) vyrobený metodou Physical Vapour Transport (PVT). Délka krystalu min. 1 cm, průměr krystalu min. 150 mm (tj. pro výrobu desek průměru 150 mm). Splnění specifikace pro polovodičové aplikace (bez objemových defektů) - splnění klíčového požadavku ověřeno komplexním měřením na deskách z krystalu (analýza povrchu, selektivní leptání pro zviditelňování defektů, analýzy vnitřního pnutí, mikroskopické analýzy) a potvrzena aplikačními testy (epitaxní růst).
Classification
Type
G<sub>funk</sub> - Functional sample
CEP classification
—
OECD FORD branch
20501 - Materials engineering
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TH03020005" target="_blank" >TH03020005: RandD of Bulk Semiconductor Material with Wide Bandgap</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2021
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
TH03020005-V4
Numerical identification
—
Technical parameters
Objemový krystal karbidu křemíku (SiC) vyrobený metodou Physical Vapour Transport (PVT). Délka krystalu min. 1 cm, průměr krystalu min. 150 mm (tj. pro výrobu desek průměru 150 mm). Splnění specifikace pro polovodičové aplikace (bez objemových defektů) - splnění klíčového požadavku ověřeno komplexním měřením na deskách z krystalu (analýza povrchu, selektivní leptání pro zviditelňování defektů, analýzy vnitřního pnutí, mikroskopické analýzy) a potvrzena aplikačními testy (epitaxní růst).
Economical parameters
Délka krystalu >1 cm, cena <1000$/mm (pro průměr krystalu >150 mm)
Application category by cost
—
Owner IČO
26821532
Owner name
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
V - Výsledek je využíván vlastníkem
Licence fee requirement
—
Web page
—