Procedure for Si wafer pre-cleaning before high temperature phosphorus diffusion to reduce the substrate contamination
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F27711170%3A_____%2F12%3A%230000011" target="_blank" >RIV/27711170:_____/12:#0000011 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Předoperační mytí z hlediska minimalizace kontaminace SiD v průběhu vysokoteplotní fosforové difúze
Original language description
Čistota povrchu Si desek před vysokoteplotní fosforovou dif[zí hraje důležitou roli pro finální elektronickou kvalitu vytvářených struktur. V rámci řešení projektu byl odladěn přesný postup dávkového sekvenčního mytí Si substrátů a následných oplachů v DEMI vodě s použitím chemikálií HF, HCl, H2O2 a H2O (respektive jejich kombinací) a následné procedury sušení Si desek.
Czech name
Předoperační mytí z hlediska minimalizace kontaminace SiD v průběhu vysokoteplotní fosforové difúze
Czech description
Čistota povrchu Si desek před vysokoteplotní fosforovou dif[zí hraje důležitou roli pro finální elektronickou kvalitu vytvářených struktur. V rámci řešení projektu byl odladěn přesný postup dávkového sekvenčního mytí Si substrátů a následných oplachů v DEMI vodě s použitím chemikálií HF, HCl, H2O2 a H2O (respektive jejich kombinací) a následné procedury sušení Si desek.
Classification
Type
N<sub>metC</sub> - Methodology certified by the authorised body
CEP classification
CF - Physical chemistry and theoretical chemistry
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TA01020972" target="_blank" >TA01020972: Modification of the particular technology facilities of the batch processes for the yield enhancement of the highly efficient silicon solar cells using the numerical and physical pre- and post-processing models CFD-ACE+ and Flow Simulation.</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2012
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
SVMVTFD_SOL_01
Regulation ID
A-2012-12-05-SVMVTFD_SOL_01
Technical parameters
Aplikací modifikované metodiky "RCA cleaning" bylo dosaženo zvýšení čistoty povrchu Si desek ověřenou měřením doby života minoritních nosičů proudu metodou MWPCD a rovněž zvýšením konverzní účinnosti testovaných solárních článků.
Economical parameters
Aplikací modifikované metodiky "RCA cleaning" bylo dosaženo zajištění vyšší čistoty povrchu Si desek a úspory spotřeby jednotlivých chemikálií, což vede ke snížení nákladů na výrobu plovodičových struktur, resp. solárních článků a celkové vyšší robustnosti procesu.
Certification body designation
SVCS Process Innovation s.r.o., Na Potůčkách 163, Valašské Meziříčí 757 01
Date of certification
—
Method of use
C - Výsledek je využíván bez omezení okruhu uživatelů