Operating process description for high temperature phosphorus gettering of metallic impurities from the bulk of silicon substrates
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F27711170%3A_____%2F12%3A%230000009" target="_blank" >RIV/27711170:_____/12:#0000009 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Procesní návodka pro vysokoteplotní fosforovou getraci kovových nečistot z objemu křemíkových substrátů
Original language description
Doba života minoritních nosičů proudu v Si substrátech ovlivňuje dosažitelnou konverzní účinnost křemíkových solárních článků. Elektronickou kvalitu Si desek ovlivňují negativně zejména nečistoty kovového charakteru. Tyto nečistoty mohou být z objemu Sisubstrátu odstraněny tzv. externím getračním postupem. V průběhu tohoto procesu jsou nečistoty zachyceny v silně fosforem dopované povrchové vrstvě, která je následně odleptána.Metodika popisuje optimalizovaný technologický postup fosforové getrace, díkyněmuž dochází až k dvacetinásobnému zvýšení doby života minoritních nosičů proudu.
Czech name
Procesní návodka pro vysokoteplotní fosforovou getraci kovových nečistot z objemu křemíkových substrátů
Czech description
Doba života minoritních nosičů proudu v Si substrátech ovlivňuje dosažitelnou konverzní účinnost křemíkových solárních článků. Elektronickou kvalitu Si desek ovlivňují negativně zejména nečistoty kovového charakteru. Tyto nečistoty mohou být z objemu Sisubstrátu odstraněny tzv. externím getračním postupem. V průběhu tohoto procesu jsou nečistoty zachyceny v silně fosforem dopované povrchové vrstvě, která je následně odleptána.Metodika popisuje optimalizovaný technologický postup fosforové getrace, díkyněmuž dochází až k dvacetinásobnému zvýšení doby života minoritních nosičů proudu.
Classification
Type
N<sub>metC</sub> - Methodology certified by the authorised body
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/TA01020972" target="_blank" >TA01020972: Modification of the particular technology facilities of the batch processes for the yield enhancement of the highly efficient silicon solar cells using the numerical and physical pre- and post-processing models CFD-ACE+ and Flow Simulation.</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2012
Confidentiality
C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.
Data specific for result type
Internal product ID
SVPNVTFG_SOL_01
Regulation ID
A-2012-12-05-SVPNVTFG_SOL_01
Technical parameters
Zařazení procesu fosforové getrační difúze snižuje rozptyl dosažených technických parametrů testovaných solárních článků a celkově vede ke zvýšení konverzní účinnosti článků až o 15 rel.%.
Economical parameters
Vyšší účinnost solárních článků přináší pozitivní ekonomický efekt (vyšší prodejní cena). Znalost "know-how" v dané problematice zároveň posiluje kredit výrobce zařízení (SVCS) u svých zákazníků.Metodika může být rovněž využitelná i v polovodičovém průmyslu.
Certification body designation
SVCS Process Innovation s.r.o., Na Potůčkách 163, Valašské Meziříčí 757 01
Date of certification
—
Method of use
C - Výsledek je využíván bez omezení okruhu uživatelů