Fast soft recovery thyristors with axial lifetime profile fabricated using iridium diffusion.
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F46747885%3A24220%2F06%3A%400000112" target="_blank" >RIV/46747885:24220/06:@0000112 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Fast soft recovery thyristors with axial lifetime profile fabricated using iridium diffusion.
Original language description
The paper presents experimental results on fabrication of fast soft reverse recovery thyristors with axial carrier lifetime gradient .in the wide base, realised using combination of iridium diffusion with low dose of electron irradiation. Using this technique, fast thyristors of ITAV = 960 A and VDRM = 3 kV , turn-off time tq ? 110 ?s and reverse recovery charge Qrr ? 700 ?C were fabricated. The softness factor tf/ts ? 1 at dIT/dt = 50 A/?s. Devices can be used in e.g. frequency converters based on thecurrent source inverter.
Czech name
Rychlé tyristory s měkkým zotavením s axiálním průběhem doby života vyrobené difuzí iridia
Czech description
Článek předkládá experimentální výsledky, kterých bylo dosaženo při výrobě rychlého tyristoru s měkkou zotavovací charakteristikou a axiálním gradientem doby života nosičů náboje. Tento gradient byl dosažen kombinací difúze iridia a nízkou dávkou elektronového ozařování. Při užití této technologie bylo dosaženo parametrů symetrických tyristorů při ITAV = 960 A and VDRM = 3 kV , vypínací doby tq ? 110 ?s a náboje závěrného zotavení Qrr ? 700 ?C. Bylo dosaženo poměru tf/ts ~ 1 při diT/dt = 50 A/?s. Tyto součástky mohou být použity ve frekvenčních měničích založených na proudových střídačích.
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
JA - Electronics and optoelectronics
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
—
Continuities
S - Specificky vyzkum na vysokych skolach
Others
Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
Microelectronic Journal
ISSN
0026-2692
e-ISSN
—
Volume of the periodical
Vol. 37
Issue of the periodical within the volume
I.06
Country of publishing house
GB - UNITED KINGDOM
Number of pages
4
Pages from-to
213-216
UT code for WoS article
—
EID of the result in the Scopus database
—