Diagnostic methods in the process of crysatlline silicon solar cell production
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49610040%3A_____%2F08%3A%230000007" target="_blank" >RIV/49610040:_____/08:#0000007 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Diagnostické metody v procesu výroby krystalických křemíkových solárních článků
Original language description
V procesu výroby solárních článků na bázi krystalického křemíku je standartně užívána řada diagnostických metod pro udržení požadovaných optických a elektrických vlastností a určení parametrů po jednotlivých technologických operacích. Samotné použití těchto standardních charakterizačních metod (jako například měření totální optické relexe po texturizačním procesu, měření vrstvového odporu difundované n+ vrstvy či určení tloušťky a indexu lomu antireflexní Si3N4 vrstvy) negarantuje dosažitelnou účinnostvýsledného solárního článku. Pro tento účel je zapotření monitorovat i elektronickou kvalitu zpracovávané Si desky, kterou dobře charakterizuje doba života minoritních nosičů. Tento příspěvek je zaměřen na demonstraci charakterizačních metod MW PCD (Microwave Photoconductance Decay) a QSSPC (Quasi Steady State Photoconduntance) v procesu výroby solárních článků s cílem identifikovat ?roadmap? pro dosažení konverzní účinnosti solárních článků přes 18%.
Czech name
Diagnostické metody v procesu výroby krystalických křemíkových solárních článků
Czech description
V procesu výroby solárních článků na bázi krystalického křemíku je standartně užívána řada diagnostických metod pro udržení požadovaných optických a elektrických vlastností a určení parametrů po jednotlivých technologických operacích. Samotné použití těchto standardních charakterizačních metod (jako například měření totální optické relexe po texturizačním procesu, měření vrstvového odporu difundované n+ vrstvy či určení tloušťky a indexu lomu antireflexní Si3N4 vrstvy) negarantuje dosažitelnou účinnostvýsledného solárního článku. Pro tento účel je zapotření monitorovat i elektronickou kvalitu zpracovávané Si desky, kterou dobře charakterizuje doba života minoritních nosičů. Tento příspěvek je zaměřen na demonstraci charakterizačních metod MW PCD (Microwave Photoconductance Decay) a QSSPC (Quasi Steady State Photoconduntance) v procesu výroby solárních článků s cílem identifikovat ?roadmap? pro dosažení konverzní účinnosti solárních článků přes 18%.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
BM - Solid-state physics and magnetism
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2008
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
3. Česká fotovoltaická konference
ISBN
978-80-254-3528-1
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
5
Pages from-to
—
Publisher name
—
Place of publication
—
Event location
Brno
Event date
Nov 3, 2008
Type of event by nationality
CST - Celostátní akce
UT code for WoS article
—