Verified deposition technology of a-SiNx:H layer applied on the production of highly efficient solar cells - increasing the efficiency of solar cells with controlled PECVD deposition of a-SiNx:H layer (achieved efficiency on c-Si substrates 18.88%, current Isc = 5.597 A)

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49610040%3A_____%2F13%3A%2A0000115" target="_blank" >RIV/49610040:_____/13:*0000115 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

Ověřená technologie depozice a-SiNx:H vrstvy uplatňována při výrobě vysoce účinných solárních článků - zvýšení účinnosti solárních článků díky zvládnuté PECVD depozice a-SiNx:H vrstvy (dosažená účinnost na c-Si substrátech 18,88%,proud Isc=5,597 A)

Original language description

Díky PECVD technologii došlo ke značnému snížení rozptylu výsledků solárních článků oproti původní LPCVD. Testy PECVD reacktorů pro výrobu krystalických Si SČ prokázali zvýšení pasivačních a antireflexních vlastností vrstev a-SiNx:H, také se dosáhlo vysoké homogenity vrstev. Nabytí znalostí depozice dielektrických vrstev pro solární a polovodičový průmysl (a-SiNx:H, a-SiOx:H, plazmatické leptání F- ionty). Nahrazení původní nákladné LPCVD depozice metodou PECVD. Značné zjednodušení výroby solárních článků a snížení výrobních nákladů při zvýšení účinnosti solárních článků.

Czech name

Ověřená technologie depozice a-SiNx:H vrstvy uplatňována při výrobě vysoce účinných solárních článků - zvýšení účinnosti solárních článků díky zvládnuté PECVD depozice a-SiNx:H vrstvy (dosažená účinnost na c-Si substrátech 18,88%,proud Isc=5,597 A)

Czech description

Díky PECVD technologii došlo ke značnému snížení rozptylu výsledků solárních článků oproti původní LPCVD. Testy PECVD reacktorů pro výrobu krystalických Si SČ prokázali zvýšení pasivačních a antireflexních vlastností vrstev a-SiNx:H, také se dosáhlo vysoké homogenity vrstev. Nabytí znalostí depozice dielektrických vrstev pro solární a polovodičový průmysl (a-SiNx:H, a-SiOx:H, plazmatické leptání F- ionty). Nahrazení původní nákladné LPCVD depozice metodou PECVD. Značné zjednodušení výroby solárních článků a snížení výrobních nákladů při zvýšení účinnosti solárních článků.

Type

Z_tech - Verified technology

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/FR-TI1%2F619" target="_blank" >FR-TI1/619: *Technology Modification for Deposition of Passivation and Antireflective Coatings by the Method of PECVD for the Condition of Vertical Reactor</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2013

Confidentiality

C - Předmět řešení projektu podléhá obchodnímu tajemství (§ 504 Občanského zákoníku), ale název projektu, cíle projektu a u ukončeného nebo zastaveného projektu zhodnocení výsledku řešení projektu (údaje P03, P04, P15, P19, P29, PN8) dodané do CEP, jsou upraveny tak, aby byly zveřejnitelné.

Internal product ID

1-01-012

Numerical identification

—

Technical parameters

Depoziční metody LPCVD: Isc = 4,795 A; Uoc = 0,571 V; FF = 78,45 %; EFF = 14,58 % (max = 15,35 %); PECVD: Isc = 5,647 A; Uoc = 0,627 V; FF = 78,92 %; EFF = 18,825 % (max = 19,062 %). Výsledek slouží k vlastnímu využití,byla podepsána Smlouva o využití výsledků výzkumu a vývoje 2012/FR-TI1/619, s MPO ze dne 28.12.2012. Kontaktní osoba: Ing. Renáta Zetková, tel: 601375825, email: renata.zetkova@solartec.cz

Economical parameters

Ověřená technologie bude využita realizátorem výsledku při řešení komerčních zakázek na výrobu zákaznických solárních článků a FV modulů. Dále bude technologie využita realizátorem pro vývoj nových pokročilých technologií výroby solárních článků s vysokou konverzní účinností.

Application category by cost

—

Owner IČO

49610040

Owner name

Solartec s.r.o.

Owner country

CZ - CZECH REPUBLIC

Usage type

P - Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence

Licence fee requirement

Z - Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje v některých případech licenční poplatek

Web page

—