All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Analysis of the maximal current rating MOSFET transistor in the package TO-247

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F17%3A43932926" target="_blank" >RIV/49777513:23220/17:43932926 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    čeština

  • Original language name

    Analýza maximální možné proudové zatížitelnosti MOSFETového tranzistoru v pouzdře TO-247

  • Original language description

    Tato výzkumná zpráva se zabývá ověřením proudového dimenzování MOSFETových tranzistorů v diskrétním pouzdře TO-247AC. Pro určený maximálního možného výstupního proudu z pouzdra tranzistoru, pro tuto aplikaci byla navržena DC analýza. V rámci této analýzy byly experimentálně ověřeny vlastnosti diskrétního pouzdra TO-247AC maximální možný proud protékaný pouzdrem MOSFETového tranzistoru s ohledem na maximální teplotu čipu. Tato teplota byla měřena thermokamerou dále dopočítávána z úbytku napětí na zpětné diodě a na samotném PN přechodu tranzistoru.

  • Czech name

    Analýza maximální možné proudové zatížitelnosti MOSFETového tranzistoru v pouzdře TO-247

  • Czech description

    Tato výzkumná zpráva se zabývá ověřením proudového dimenzování MOSFETových tranzistorů v diskrétním pouzdře TO-247AC. Pro určený maximálního možného výstupního proudu z pouzdra tranzistoru, pro tuto aplikaci byla navržena DC analýza. V rámci této analýzy byly experimentálně ověřeny vlastnosti diskrétního pouzdra TO-247AC maximální možný proud protékaný pouzdrem MOSFETového tranzistoru s ohledem na maximální teplotu čipu. Tato teplota byla měřena thermokamerou dále dopočítávána z úbytku napětí na zpětné diodě a na samotném PN přechodu tranzistoru.

Classification

  • Type

    O - Miscellaneous

  • CEP classification

  • OECD FORD branch

    20201 - Electrical and electronic engineering

Result continuities

  • Project

  • Continuities

    S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Others

  • Publication year

    2017

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů