Analysis of the maximal current rating MOSFET transistor in the package TO-247

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23220%2F17%3A43932926" target="_blank" >RIV/49777513:23220/17:43932926 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

čeština

Original language name

Analýza maximální možné proudové zatížitelnosti MOSFETového tranzistoru v pouzdře TO-247

Original language description

Tato výzkumná zpráva se zabývá ověřením proudového dimenzování MOSFETových tranzistorů v diskrétním pouzdře TO-247AC. Pro určený maximálního možného výstupního proudu z pouzdra tranzistoru, pro tuto aplikaci byla navržena DC analýza. V rámci této analýzy byly experimentálně ověřeny vlastnosti diskrétního pouzdra TO-247AC maximální možný proud protékaný pouzdrem MOSFETového tranzistoru s ohledem na maximální teplotu čipu. Tato teplota byla měřena thermokamerou dále dopočítávána z úbytku napětí na zpětné diodě a na samotném PN přechodu tranzistoru.

Czech name

Analýza maximální možné proudové zatížitelnosti MOSFETového tranzistoru v pouzdře TO-247

Czech description

Tato výzkumná zpráva se zabývá ověřením proudového dimenzování MOSFETových tranzistorů v diskrétním pouzdře TO-247AC. Pro určený maximálního možného výstupního proudu z pouzdra tranzistoru, pro tuto aplikaci byla navržena DC analýza. V rámci této analýzy byly experimentálně ověřeny vlastnosti diskrétního pouzdra TO-247AC maximální možný proud protékaný pouzdrem MOSFETového tranzistoru s ohledem na maximální teplotu čipu. Tato teplota byla měřena thermokamerou dále dopočítávána z úbytku napětí na zpětné diodě a na samotném PN přechodu tranzistoru.

Type

O - Miscellaneous

CEP classification

—

OECD FORD branch

20201 - Electrical and electronic engineering

Project

—

Continuities

S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Publication year

2017

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů