Properties of reactively sputtered W-Si-N films
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F06%3A00000291" target="_blank" >RIV/49777513:23520/06:00000291 - isvavai.cz</a>
Alternative codes found
RIV/49777513:23520/06:00000292
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Properties of reactively sputtered W-Si-N films
Original language description
This article reports on the d.c. reactive magnetron sputter deposition of W-Si-N films with a high content of Si and their physical and mechanical properties. Films were characterized by XRD, EDX, microhardness, elastic recovery, resistance to plastic deformation, macrostress and thermogravimetry.
Czech name
Vlastnosti reaktivně naprašovaných W-Si-N vrstev
Czech description
Článek se zabývá vlivem obsahu Si3N4 na mechnaické vlastnosti, vznesené pnutí a oxidační odolnost W-Si-N vrstev. Bylo prokázáno, že zvýšení obsahu Si3N4 fáze vede k změně struktury z krystalické na amorfní, zvýšení mikrotvrdosti, zvýšení odolnosti, saturaci zbytkového pnutí.
Classification
Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BL - Plasma physics and discharge through gases
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/ME%20529" target="_blank" >ME 529: Nanostructured thin films</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Others
Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Name of the periodical
Surface and Coatings Technology
ISSN
0257-8972
e-ISSN
—
Volume of the periodical
—
Issue of the periodical within the volume
—
Country of publishing house
NL - THE KINGDOM OF THE NETHERLANDS
Number of pages
10
Pages from-to
3886
UT code for WoS article
—
EID of the result in the Scopus database
—