Influence of substrate bias voltage on structure and properties of hard Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F07%3A00000199" target="_blank" >RIV/49777513:23520/07:00000199 - isvavai.cz</a>

Alternative codes found

RIV/61389005:_____/07:00097603

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Influence of substrate bias voltage on structure and properties of hard Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering

Original language description

The paper deals with the effect of the rf induced negative substrate bias voltage,Ub, on characteristics of novel quaternary Si-B-C-N films. The films were found to be amorphous with hardness up to 44 GPa, modified Young's modulus between 170 and 280 GPa, elastic recovery up to 82%, and good adhesion to substrates at a low compressive stress (0.6-1.8 GPa). A beneficial role of silicon in reducing the compressive stress in the films was proved. Electrical conductivity of the semiconductive Si-B-C-N filmswith a high carbon content was controlled by the nitrogen-argon gas mixture composition and the Ub values.

Czech name

Vliv předpětí na substrátech na strukturu a vlastnosti vrstev tvrdých materiálů Si-B-C-N připravených reaktivním magnetronovým naprašováním

Czech description

Článek se zabývá vlivem záporného rf předpětí na substrátech, Ub, na vlastnosti vrstev nových kvaternárních materiálů Si-B-C-N. Materiály byly amorfní s tvrdostí do 44 GPa, modifikovaným Youngovým modelem 170 až 280 GPa, elastickou vratností do 82% a dobrou adhezí k substrátům při nízkém kompresním pnutí (0,6-1,8 GPa). Byl prokázán přínosný vliv křemíku na tyto nízké hodnoty kompresního pnutí. Elektrická vodivost polovodivých vrstev Si-B-C-N s vysokým obsahem uhlíku byla řízena složením výbojové směsi dusík-argon a hodnotami Ub.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BL - Plasma physics and discharge through gases

OECD FORD branch

—

Project

—

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2007

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Diamond and Related Materials

ISSN

0925-9635

e-ISSN

—

Volume of the periodical

—

Issue of the periodical within the volume

—

Country of publishing house

NL - THE KINGDOM OF THE NETHERLANDS

Number of pages

8

Pages from-to

29

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—