New quaternary Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F06%3A00000511" target="_blank" >RIV/49777513:23520/06:00000511 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
New quaternary Si-B-C-N films prepared by reactive magnetron sputtering
Original language description
Novel quaternary Si-B-C-N films were fabricated using dc magnetron co-sputtering of silicon, boron and carbon from a single C-Si-B or B4C-Si target in nitrogen-argon gas mixtures at substrate temperatures of 180-350 °C. The films, typically 2-5 µmthick, were found to be amorphous in nanostructure with a low compressive stress (around 1 GPa) and good adhesion to substrates. They exhibited high hardness (up to 45 GPa) and elastic recovery (up to 85%), and extremely high oxidation resistance in airat elevated temperatures (up to a 1350 °C substrate limit).
Czech name
Nové kvaternární tenké vrstvy Si-B-C-N připravené reaktivním magnetronovým naprašováním
Czech description
Článek se zabývá novými kvaternárními materiály Si-B-C-N připravenými ve formě tenkých vrstev pomocí reaktivního magnetronového rozprašování křemíku, uhlíku a bóru ve směsích dusík-argon. Materiály vykázaly při amorfní nanostruktuře velmi nízké tlakové pnutí, dobrou adhezi k substrátům, vysokou tvrdost a elastické zotavení a extrémně vysokou oxidační odolnost ve vzduchu za teplot do 1350°C.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
BL - Plasma physics and discharge through gases
OECD FORD branch
—

Publication year
2006
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)