All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Bonding statistics and electronic structure of novel Si-B-C-N materials: Ab initio calculations and experimental verification

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23520%2F07%3A00000291" target="_blank" >RIV/49777513:23520/07:00000291 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    Bonding statistics and electronic structure of novel Si-B-C-N materials: Ab initio calculations and experimental verification

  • Original language description

    Amorphous silicon-boron-carbon-nitrogen alloys were deposited by reactive magnetron sputtering, and their bonding statistics and electronic structure were investigated using a combined approach of experiment and molecular dynamics simulations. The authors show a difference between Si-based and C-based Si_B-C-N networks, and investigate coordination numbers and behavior of individual atom types. Furthermore, the authors calculate electronic structure and photoconductivity of the materials. The authors find that both a higher Si/C ratio and an addition of hydrogen increase a band gap of the materials.

  • Czech name

    Statistiky vazeb a elektronová struktura nových materiálů Si-B-C-N: Ab inito výpočty a jejich experimentální ověření

  • Czech description

    Amorfní materiály Si-B-C-N byly připraveny metodou reaktivního magnetronového naprašování. Ke zkoumání vazebných statistik a elektronové struktury těchto materiálů byl použit kombinovaný přístup experimentu a molekulární dynamické simulace. Autoři ukazují rozdíly mezi Si-B-C-N systémy s vysokým obsahem křemíku a uhlíku a zároveň zkoumají koordinační čísla a chování jednotlivých atomových typů, dále pak počítají elektronovou strukturu a fotovodivost těchto materiálů. Autoři zjistili, že vyšší poměr Si/Ci přidání vodíku do materiálu zvyšuje zakázaný pás.

Classification

  • Type

    J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

  • CEP classification

    BL - Plasma physics and discharge through gases

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

  • Continuities

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Others

  • Publication year

    2007

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Name of the periodical

    Journal of Vacuum Science and Technology A

  • ISSN

    0734-2101

  • e-ISSN

  • Volume of the periodical

  • Issue of the periodical within the volume

  • Country of publishing house

    US - UNITED STATES

  • Number of pages

    6

  • Pages from-to

    1411

  • UT code for WoS article

  • EID of the result in the Scopus database