On the role of hydrogen in the short range order of hydrogenated amorphous and nanocrystalline silicon

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F06%3A00000111" target="_blank" >RIV/49777513:23640/06:00000111 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

On the role of hydrogen in the short range order of hydrogenated amorphous and nanocrystalline silicon

Original language description

Relatively well-understood hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) and nanocrystalline silicon (nc-Si:H) thin films still have been intensively studied, especially for TFTs, thin-film-LEDs, solar cells etc. Nanocrystalline Si containing amorphous phase and tiny Si crystallites about tens of nanometers in size compromises some of a-Si:H and crystalline Si (c-Si) properties. Owing to the crystallite size it has become more appropriate to prefer nc-Si:H that retains some advantages of a-Si:H such as low leakage current, and low-cost, simple low-temperature processing, and at the same time improved electrical characteristics over a-Si:H, such as higher mobility and greater stability. Main differences origin from Si-H bonds and the physics of hydrogen in a-Si:H or nc-Si:H may clarify certain unique effects in a-Si:H and nc-Si:H devices.

Czech name

Úloha vodíku v amorfním hydrogenizovaném a nanokrystalickém křemíku při uspořádání struktury na krátkou vzdálenost

Czech description

Poměrně dobře známé tenké vrstvy amorfního hydrogenizovaného křemíku (a-Si:H) a nanokrystalického křemíku (nc-Si:H) jsou stále intenzivně zkoumány, hlavně pro TFTs, tenké vrstvy LEDs, solární články atd. Nanokrystalický Si obsahující amorfní fázi a drobné krystalky Si velikosti desítek nanometrů je kompromisem vlastností a-Si:H a krystalického Si (c-Si). Vzhledem k velikosti krystalitů je vhodnější nc-Si:H, jenž ponechává výhody a-Si:H: nízký svodový proud, nízká cena, jednoduchá nízkoteplotní výroba, zároveň zlepšuje elektrické vlastnosti (vyšší pohyblivost a větší stabilita). Hlavní rozdíly mezi původními vazbami Si-H vazbami v a-Si:H a nc-Si:H mohou vysvětlit určité unik

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materials and components for environment protection</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2006

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

Applied Physics of Condensed Matter

ISBN

80-227-2424-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

4

Pages from-to

279-282

Publisher name

Slovak University of Technology

Place of publication

Bratislava

Event location

Malá Lučivná

Event date

Jan 1, 2006

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—