On nanometer ordering in thin amorphous hydrogenated silicon

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F08%3A00500608" target="_blank" >RIV/49777513:23640/08:00500608 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

On nanometer ordering in thin amorphous hydrogenated silicon

Original language description

We investigated thin films of amorphous hydrogenated silicon (a-Si:H) deposited by PECVD under increasing dilutions of silane plasma by hydrogen. We found out that under increasing additional hydrogen at the depositions, thin films obtain less hydrogen bonded to silicon. The optical band gap energies determined from UV Vis transmittance and reflectance spectra were found to be increasing function of the dilution. We deduce that optical band gaps expanse due to the decreasing dimensions of silicon nanocrystals. They were calculated to be of 2 ? 4 nm which proves the medium-range order in a-Si:H.

Czech name

O nanometrovém uspořádání v tenkých vrstvách hydrogenizovaného amorfního křemíku

Czech description

Byly vyšetřovány tenké vrstvy hydrogenizovaného amorfního křemíku (a-Si:H) deponované PECVD technologií s rostoucím zředěním plasmy silanu vodíkem. Bylo zjištěno, že s rostoucím přídavkem vodíku během depozice klesá počet vazeb mezi křemíkem a vodíkem. Optická šířka zakázaného pásu určená z UV-VIS transmitančních a reflektančních spekter je rostoucí funkcí zředění. Usuzuje se, že rostoucí optická šířka zakázaného pásu je způsobená klesají velikostí nanokrystalů křemíku. Byla vypočítaná velikost krystalitů 2-4 nm, která poukazuje na uspořádání na střední vzdálenost v a-Si:H.

Type

J_x - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

CEP classification

BM - Solid-state physics and magnetism

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/1M06031" target="_blank" >1M06031: Materials and components for environment protection</a><br>

Continuities

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year

2008

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Name of the periodical

Advances in Electrical and Electronic Engineering

ISSN

1336-1376

e-ISSN

—

Volume of the periodical

7

Issue of the periodical within the volume

1-2

Country of publishing house

SK - SLOVAKIA

Number of pages

4

Pages from-to

—

UT code for WoS article

—

EID of the result in the Scopus database

—