Deposition technology of multi-layered absorption films on silicon quantum dots embedded in Si3N4 matrix

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F14%3A43924672" target="_blank" >RIV/49777513:23640/14:43924672 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Deposition technology of multi-layered absorption films on silicon quantum dots embedded in Si3N4 matrix
Original language description
Deposition technology of multi-layered absorption films with silicon nano-crystals vertically separated by Si3N4 dielectric layers has been developed. According to thickness of the silicon sub-layers and deposition technology used (chemical or physical deposition) average dimensions of silicon nano-crystals from 3 to 14 nm in diameter were obtained. As expected, the quantum size effect was more distinctive in smaller crystals, and this effect was also observed in initial as deposited a-Si:H/SiO2 films (one-dimensional quantum size effect - suitable also for photonic applications). Although, approximately the same results were obtained by using SiO2 and Si3N4 dielectric layers, nevertheless, the difference between SiO2 and Si3N4 is that the potential barriers created on the borders of the silicon crystals have different height.
Czech name
—
Czech description
—

Project
<a href="/en/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centre of the New Technologies and Materials</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Publication year
2014
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Internal product ID
NTC-OTE-14-011
Numerical identification
—
Technical parameters
K přípravě multivrstev Si3N4/nc-Si se využívá PECVD aparatura SAMCO 220NA a k tepelnému zpracování vysokoteplotní komora AP 1200, která je součástí rtg difraktometru X'Pert Pro, tudíž lze současně sledovat "in situ" fázové transformace. Proces lze snadnopřenést na jiná podobná zařízení. Výsledek byl vytvořen, ověřen a uplatněn ve výrobě. David Lávička, Západočeská univerzita v Plzni (IČO 49777513), Nové technologie - výzkumné centrum, Univerzitní 8, 306 14 Plzeň, 377634714, dlavicka@ntc.zcu.cz. http://www.ntc.zcu.cz/vysledky/ot/NTC-OTE-14-011.html
Economical parameters
Výsledek je využíván příjemcem Západočeská univerzita v Plzni (IČO 49777513), ekonomické parametry se neuvádějí
Application category by cost
—
Owner IČO
49777513
Owner name
Západočeská univerzita v Plzni
Owner country
CZ - CZECH REPUBLIC
Usage type
N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)
Licence fee requirement
—
Web page
—

Similar results(10)