All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Deposition technology of multi-layered absorption films on silicon quantum dots embedded in Si3N4 matrix

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F49777513%3A23640%2F14%3A43924672" target="_blank" >RIV/49777513:23640/14:43924672 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    Deposition technology of multi-layered absorption films on silicon quantum dots embedded in Si3N4 matrix

  • Original language description

    Deposition technology of multi-layered absorption films with silicon nano-crystals vertically separated by Si3N4 dielectric layers has been developed. According to thickness of the silicon sub-layers and deposition technology used (chemical or physical deposition) average dimensions of silicon nano-crystals from 3 to 14 nm in diameter were obtained. As expected, the quantum size effect was more distinctive in smaller crystals, and this effect was also observed in initial as deposited a-Si:H/SiO2 films (one-dimensional quantum size effect - suitable also for photonic applications). Although, approximately the same results were obtained by using SiO2 and Si3N4 dielectric layers, nevertheless, the difference between SiO2 and Si3N4 is that the potential barriers created on the borders of the silicon crystals have different height.

  • Czech name

  • Czech description

Classification

  • Type

    Z<sub>tech</sub> - Verified technology

  • CEP classification

    BM - Solid-state physics and magnetism

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    <a href="/en/project/ED2.1.00%2F03.0088" target="_blank" >ED2.1.00/03.0088: Centre of the New Technologies and Materials</a><br>

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Others

  • Publication year

    2014

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Internal product ID

    NTC-OTE-14-011

  • Numerical identification

  • Technical parameters

    K přípravě multivrstev Si3N4/nc-Si se využívá PECVD aparatura SAMCO 220NA a k tepelnému zpracování vysokoteplotní komora AP 1200, která je součástí rtg difraktometru X'Pert Pro, tudíž lze současně sledovat "in situ" fázové transformace. Proces lze snadnopřenést na jiná podobná zařízení. Výsledek byl vytvořen, ověřen a uplatněn ve výrobě. David Lávička, Západočeská univerzita v Plzni (IČO 49777513), Nové technologie - výzkumné centrum, Univerzitní 8, 306 14 Plzeň, 377634714, dlavicka@ntc.zcu.cz. http://www.ntc.zcu.cz/vysledky/ot/NTC-OTE-14-011.html

  • Economical parameters

    Výsledek je využíván příjemcem Západočeská univerzita v Plzni (IČO 49777513), ekonomické parametry se neuvádějí

  • Application category by cost

  • Owner IČO

    49777513

  • Owner name

    Západočeská univerzita v Plzni

  • Owner country

    CZ - CZECH REPUBLIC

  • Usage type

    N - Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)

  • Licence fee requirement

  • Web page