Preparetion of WO3 thin films by pulsed plasma and their characterizition
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F60461373%3A22310%2F14%3A43898381" target="_blank" >RIV/60461373:22310/14:43898381 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
čeština
Original language name
Charakterizace WO3 tenkých vrstev připravených plasmatickým magnetronovým naprašováním
Original language description
Oxid wolframu (WO3) je důležitý materiál s elektrickými a optickými vlastnostmi, které jsou využívány pro různé aplikace. Je to polovodič s atraktivními elektrickými a optickými vlastnostmi (Eg ? 2.5-2.8 eV), dokáže zachytit přibližně 12% slunečního spektra a může absorbovat světlo ve viditelném spektru až do 500 nm. Práce se zabývá porovnáním fotoelektrochemických vlastností vrstev, které byly připraveny magnetronovým naprašováním. Vrstvy byly připraveny na skelných substrátech FTO (oxid cíničitý dopovaný fluoridem) při různých depozičních podmínkách. Vlastnosti deponovaných WO3 filmů byly studovány v závislosti na pulzní frekvenci a době trvání depozice. Wolframový terč byl reaktivně bombardován v atmosféře Ar + O2 při konstantním tlaku plynu p = 2,18 Pa. Část vrstev byla vyžíhána (450 °C). Krystalografická struktura připravených vrstev byla zjišťována Ramanovskou spektroskopií a RTG difrakcí. Morfologie vrstev byla sledována s využitím skenovací elektronové mikroskopie. Fotoelektroc
Czech name
Charakterizace WO3 tenkých vrstev připravených plasmatickým magnetronovým naprašováním
Czech description
Oxid wolframu (WO3) je důležitý materiál s elektrickými a optickými vlastnostmi, které jsou využívány pro různé aplikace. Je to polovodič s atraktivními elektrickými a optickými vlastnostmi (Eg ? 2.5-2.8 eV), dokáže zachytit přibližně 12% slunečního spektra a může absorbovat světlo ve viditelném spektru až do 500 nm. Práce se zabývá porovnáním fotoelektrochemických vlastností vrstev, které byly připraveny magnetronovým naprašováním. Vrstvy byly připraveny na skelných substrátech FTO (oxid cíničitý dopovaný fluoridem) při různých depozičních podmínkách. Vlastnosti deponovaných WO3 filmů byly studovány v závislosti na pulzní frekvenci a době trvání depozice. Wolframový terč byl reaktivně bombardován v atmosféře Ar + O2 při konstantním tlaku plynu p = 2,18 Pa. Část vrstev byla vyžíhána (450 °C). Krystalografická struktura připravených vrstev byla zjišťována Ramanovskou spektroskopií a RTG difrakcí. Morfologie vrstev byla sledována s využitím skenovací elektronové mikroskopie. Fotoelektroc
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
CA - Inorganic chemistry
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GAP108%2F12%2F2104" target="_blank" >GAP108/12/2104: Advanced semiconductor materials for photoelectrochemical water splitting</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2014
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
4. ročník konference Moderní TRENDY v anorganických technologiích 2014
ISBN
978-80-7080-889-4
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
4
Pages from-to
82-85
Publisher name
Vysoká škola chemicko-technologická v Praze
Place of publication
Praha
Event location
Praha
Event date
Jun 11, 2014
Type of event by nationality
CST - Celostátní akce
UT code for WoS article
—