Point and structural defects in Bi2PbxTe3 single crystals

Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61389013%3A_____%2F07%3A00083449" target="_blank" >RIV/61389013:_____/07:00083449 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Result language
angličtina
Original language name
Point and structural defects in Bi2PbxTe3 single crystals
Original language description
The study of the doping process of Bi2Te3 by Pb atoms in wide range of lead concentration ((1.0-80.0)x10 18 cm-3) revealed two distinct areas of influence of incorporated Pb atoms on changes in free carrier concentration. While at lower concentration ofincorporated Pb (up to 20x10 18 cm-3 at. Pb cm-3) the ratio of generated holes to one incorporated Pb atom falls from value of 1.06 down to 0.55, at higher concentration ((20-80)x10 18 Pb at. cm-3) the value stays constant. The observed behaviour of seeming electrical inactivity of the incorporated Pb atoms is explained by a point defect model taking into account the interaction between the entering Pb atoms and native lattice defects of Bi2Te3 crystal structure.
Czech name
Bodové a stukturní poruchy v monokrystalech Bi2PbxTe3
Czech description
Studium procesu dotace monokrystalů Bi2Te3 atomy olova prokázalo dvě oblasti rozdílného vlivu atomů olova na změnu koncentrace volných nositelů proudu. Pro koncentraci olova (1-20)x10 18 cm-3 klesá poměr počtu generovaných děr na jeden atom olova z 1,06na 0,55. Pro koncentraci olova (20x80)x10 18 cm-3 je poměr konstantní. Tato pozorovaná zdánlivá elektrická neaktivita zabudovaných atomů olova je vysvětlena jejich interakcí s přirozenými poruchami mřížky v monokrystalech Bi2Te3.

Type
J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)
CEP classification
CA - Inorganic chemistry
OECD FORD branch
—

Publication year
2007
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Similar results(10)