Microstructure Related Issues of Electroplated Copper Interconnects in Microelectronics
The result's identifiers
Result code in IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27360%2F05%3A00013242" target="_blank" >RIV/61989100:27360/05:00013242 - isvavai.cz</a>
Result on the web
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternative languages
Result language
angličtina
Original language name
Microstructure Related Issues of Electroplated Copper Interconnects in Microelectronics
Original language description
In modern microelectronics, material related issues emerge as new technologies are introduced. The powerful experimental and theoretical tools of materials engineering are often capable of proper characterization and description of the problems in question. This paper deals with characterization and modeling of self-annealing in electroplated copper thin films which are used since late 90's as interconnects in state-of-the-art integrated circuits. Specifics of the experimental methods suitable for studying thin copper films are discussed. Based on the experimental results, new model is developed which describes the self-annealing by means of abnormal grain growth. The predictive capabilities of the model are verified on previously obtained experimentaldata.
Czech name
Problematika mikrostruktury elektrochemicky deponovaných měděných spojů v mikroelektornice
Czech description
Se zaváděním nových technologií v mikroelektronickém průmyslu je spojena řada problémů spadajících do oblasti materiálových věd. Experimentální a teoretické zázemí materiálového inženýrství často poskytuje vhodné charakterizační nástroje a nový pohled nařešení těchto problémů. Tato práce se zabývá charakterizací a modelováním samovolného žíhání tenkých vrstev elektrochemicky nanášené mědi, jenž se používají od konce 90.let k vytváření spojů ve špičkových integrovaných obvodech. Jsou zmíněna specifika studia tenkých vrstev mědi nanášených elektrochemicky a vhodné experimentální metody. Na základě experimentálních výsledků je navržen model, který popisuje samovolné žíhání pomocí mechanismu abnormálního růstu zrna. Predikční schopnosti modelu jsou ověřeny na sérii experimentálních dat.
Classification
Type
D - Article in proceedings
CEP classification
JG - Metallurgy, metal materials
OECD FORD branch
—
Result continuities
Project
<a href="/en/project/GP101%2F03%2FP165" target="_blank" >GP101/03/P165: Microstructure evolution of electroplated copper thin films for on-chip interconnections near room temperature</a><br>
Continuities
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Others
Publication year
2005
Confidentiality
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Data specific for result type
Article name in the collection
Procedings of the 10th International Conference Progress in Materials Engineering,Book of Abstracts
ISBN
80-248-0887-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Number of pages
1
Pages from-to
17-17
Publisher name
VŠB - Technická univerzita Ostrava
Place of publication
Ostrava
Event location
Rožnov p. Radhoštěm
Event date
Aug 30, 2005
Type of event by nationality
EUR - Evropská akce
UT code for WoS article
—