All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

From Shelled Ge Nanowires to SiC Nanotubes

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985858%3A_____%2F09%3A00317786" target="_blank" >RIV/67985858:_____/09:00317786 - isvavai.cz</a>

  • Alternative codes found

    RIV/61388980:_____/09:00317786 RIV/00025798:_____/09:00000526

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    From Shelled Ge Nanowires to SiC Nanotubes

  • Original language description

    Shelled germanium nanowires up to 100 nm in diameter and several micrometers in length were prepared by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) of tris(trimethylsilyl)germane (SiMe3)3GeH. Vapors of the precursor were deposited on tantalum substrates in an oven at 365 °C. Subsequently, the products were annealed at 700 °C in vacuum. The wires consist of a crystalline Ge core surrounded by a two-layer jacket. The presence of hexagonal Ge in the core was documented in some of the nanowires. The inner jacket is formed by amorphous germanium, the outer part by an Si/C material. By annealing at 900 °C, germanium in the core is expelled and nanotubes formed by the Si/C material remain. The samples were studied by SEM, HRTEM, EDX, FTIR and Raman spectroscopy, and the XRD technique.

  • Czech name

    Od zabalených Ge nanodrátů k SiC nanotrubkám

  • Czech description

    Zabalené Ge nanodráty o průměru až 100 nm a v délce několika mikronů byly připraveny chemickou depozicí z plynné fáze za nízkého tlaku z prekursoru tris(trimethylsilyl)german (SiMe3)3GeH. Páry prekursoru byly deponovány na tantalových substrátech v peciza teploty 365 °C. Následně byl depozit ohřát ve vakuu na 700 °C. Dráty se sestávají z krystalického Ge jádra, které je obaleno dvouvrstvým pláštěm. V některých nanodrátech byla zjištěna přítomnost hexagonálního Ge. Vnitřní plášť je tvořen amorfním germaniem, vnější plášť Si/C materiálem. Při ohřevu na 900 °C je germanium vypařeno a vznikají nanotrubičky z Si/C materiálu. Vzorky byly studovány pomocí SEM, HRTEM, EDX, FTIR a Ramanovy spektroskopie a XRD techniky.

Classification

  • Type

    J<sub>x</sub> - Unclassified - Peer-reviewed scientific article (Jimp, Jsc and Jost)

  • CEP classification

    CF - Physical chemistry and theoretical chemistry

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    Result was created during the realization of more than one project. More information in the Projects tab.

  • Continuities

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Others

  • Publication year

    2009

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Name of the periodical

    Nanotechnology

  • ISSN

    0957-4484

  • e-ISSN

  • Volume of the periodical

    20

  • Issue of the periodical within the volume

    3

  • Country of publishing house

    GB - UNITED KINGDOM

  • Number of pages

    6

  • Pages from-to

  • UT code for WoS article

    261795500015

  • EID of the result in the Scopus database