All

What are you looking for?

All
Projects
Results
Organizations

Quick search

  • Projects supported by TA ČR
  • Excellent projects
  • Projects with the highest public support
  • Current projects

Smart search

  • That is how I find a specific +word
  • That is how I leave the -word out of the results
  • “That is how I can find the whole phrase”

Preparation and properties of GaInP2/GaAs heterostructures

The result's identifiers

  • Result code in IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00023409" target="_blank" >RIV/67985882:_____/04:00023409 - isvavai.cz</a>

  • Result on the web

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternative languages

  • Result language

    angličtina

  • Original language name

    Preparation and properties of GaInP2/GaAs heterostructures

  • Original language description

    Growth of the GaxIn1-xP/GaAs(100) heterostructures from the liquid phase was optimized at 800oC to obtain thick epitaxial layers. Experimental conditions for growth of the mirror like, morphological defects free structures are very narrow. Capping of theternary layer by GaAs grown from the Bi or Bi-Ga melt was investigated as well. New model of the substrate planarity related defects has been suggested.

  • Czech name

    Příprava a vlastnosti heterostruktur GaInP2/GaAs

  • Czech description

    Heteropřechody GaInP2/GaAs byly pěstovány při teplotě 800oC epitaxně z kapalné faze. Růstové podmínky pro dosažení perfektní povrchové morfologie a bezdefektního růstu se nacházejí ve velice úzkém rozmezí. Byl prozkoumán růst GaAs z Bi nebo Bi-Ga taveniny na ternární vrstvě. Byl navržen nový model popisující tvorbu defektů v GaInP2 při narušení planarity podložky. Byla nalezena ostrá hranice mezi oblastí uspořádané a neuspořádané sítě dislokací v Bi:GaAs vrstvě na ternáru.

Classification

  • Type

    D - Article in proceedings

  • CEP classification

    JA - Electronics and optoelectronics

  • OECD FORD branch

Result continuities

  • Project

    <a href="/en/project/ME%20610" target="_blank" >ME 610: Preparation of the radiation resistant solar cells from GaInP2/GaAs</a><br>

  • Continuities

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Others

  • Publication year

    2004

  • Confidentiality

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Data specific for result type

  • Article name in the collection

    Proceedings of the 14th Joint Seminar "Development of Materials Science in Research and Education"

  • ISBN

    80-7345-032-1

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Number of pages

    2

  • Pages from-to

    45-46

  • Publisher name

    MAXDORF

  • Place of publication

    Praha

  • Event location

    Lednice

  • Event date

    Aug 31, 2004

  • Type of event by nationality

    EUR - Evropská akce

  • UT code for WoS article