Preparation and properties of GaInP2/GaAs heterostructures

Result code in IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F67985882%3A_____%2F04%3A00105962" target="_blank" >RIV/67985882:_____/04:00105962 - isvavai.cz</a>

Result on the web

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Result language

angličtina

Original language name

Preparation and properties of GaInP2/GaAs heterostructures

Original language description

Growth of the GaxIn1-xP/GaAs (100)heterostructures from the liquid phase was optimised at 800oC to obtain thick epitaxial layers. Experimental conditions for growth of the mirror like, morphological defects free structures are very narrow. Capping the ternary layer by GaAs grown from Bi or Bi-Ga melt was investigated as well. New model of the substrate planarity related defects have been suggested. Sharp boundary between ordered and disordered dislocations network in the top Bi:GaAs layer was observed and lattice misfit has been compensated by In addition to produce Bi:GaxIn1-x As /x>0.95/.

Czech name

Příprava a vlastnosti heterostruktur GaInP2/GaAs

Czech description

Epitaxní růst heterostruktur GaxIn1-xP/GaAs (100) z kapalné fáze byl optimalizován pro přípravu tlustých epitaxních vrstev při 800oC. Bylo zjištěno, že podmínky růstu vedoucí k přípravě zrcadlově lesklých bezdefektních struktur je možné měnit ve velmi úzkém rozmezí. Pěstování krycí vrstvy GaAs z taveniny v Bi bylo rovněž studováno. Byl navržen nový model popisující tvorbu defektů souvisejících s odchylkou od planarity povvrchu podložky. Byla pozorována ostrá hranice mezi oblastmi s uspořádanou a neuspořádanou sítí dislokací v horní Bi:GaAs vrstvě a strukturní nepřizpůsobení v této vrstvě bylo kompensováno přídavkem In , takže horní vrstva odpovídala složením pevnému roztoku GaxIn1-x As s hodnotou x> 0.95.

Type

D - Article in proceedings

CEP classification

JA - Electronics and optoelectronics

OECD FORD branch

—

Project

<a href="/en/project/ME%20610" target="_blank" >ME 610: Preparation of the radiation resistant solar cells from GaInP2/GaAs</a><br>

Continuities

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Publication year

2004

Confidentiality

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Article name in the collection

ASDAM'2004. Proceedings of the Fifth International Conference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems

ISBN

0-7803-8535-7

ISSN

—

e-ISSN

—

Number of pages

4

Pages from-to

57-60

Publisher name

IEEE

Place of publication

Piscataway

Event location

Smolenice

Event date

Oct 17, 2004

Type of event by nationality

WRD - Celosvětová akce

UT code for WoS article

—